扬州扬杰电子科技股份有限公司王正获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利提高安全稳定性的SiC器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223310191U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422653400.4，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型提高安全稳定性的SiC器件是由王正;杨程;裘俊庆;万胜堂;王坤;王毅设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高安全稳定性的SiC器件在说明书摘要公布了：提高安全稳定性的SiC器件，涉及半导体技术领域。在SiCMOSFET器件中通过在SiCDrift层的JFET底部形成P区，在器件工作在饱和区时，P区与Pwell区和SiCDrift层形成的耗尽层会相互连接，从而更好的屏蔽短路电流，降低器件在短路时的温升。同时，在器件工作在线性区时，因为漏极电压较小，P区与SiCDrift层形成的耗尽层不会与Pwell区形成的耗尽层相连接，从而不会过多影响器件工作在线性区时的出流能力。
本实用新型提高安全稳定性的SiC器件在权利要求书中公布了：1.提高安全稳定性的SiC器件，其特征在于，包括从下而上依次设置的SiCSub层（1）、SiCDrift层（2）、SiCEpi层（4）、栅氧化层（8）、Poly层（9）、隔离介质层（10）和正面电极金属层（12）； 所述SiCDrift层（2）顶面设有向下延伸的P区（3）； 所述SiCEpi层（4）内设有： Pwell区（5），设有一对，分别从所述SiCEpi层（4）的顶面向下延伸； NP区（6），设有一对，分别从所述Pwell区（5）的顶面向下延伸； PP区（7），设有一对，分别从所述Pwell区（5）的顶面向下延伸，位于所述NP区（6）的侧部； 所述栅氧化层（8）的底面分别与NP区（6）、Pwell区（5）和SiCEpi层（4）的顶面连接； 所述隔离介质层（10）包裹在栅氧化层（8）和Poly层（9）上，侧部向下延伸，与所述NP区（6）连接； 所述隔离介质层（10）的侧部设有分别与所述PP区（7）和NP区（6）连接的欧姆接触合金层（11）。
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