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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利提高器件反向耐压能力的SiC器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223310190U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422653392.3，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型提高器件反向耐压能力的SiC器件是由王正;杨程;裘俊庆;万胜堂;王坤;王毅设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高器件反向耐压能力的SiC器件在说明书摘要公布了：提高器件反向耐压能力的SiC器件，涉及半导体技术领域。在SiCMOSFET器件终端区的Pwell主结顶面采用间隔排布的欧姆接触布局设计，漏源寄生电容Cds的大小取决于欧姆接触面积，因此间隔排布的欧姆接触，可以将接触面积大幅减小，从而可以降低器件终端区的Pwell主结接地所带来的漏源寄生电容Cds，在提高器件反向耐压能力的同时还减小了漏源寄生电容Cds所带来的开关性能的影响。

本实用新型提高器件反向耐压能力的SiC器件在权利要求书中公布了：1.提高器件反向耐压能力的SiC器件，其特征在于，包括从下而上依次设置的SiCSub层（1）和SiCDrift层（2）； 所述SiCDrift层（2）上设有： Pwell区（3），设有若干，分别从所述SiCDrift层（2）顶面间隔向下延伸； NP区（4），从源区的所述Pwell区（3）顶面向下延伸； PP区（5），设有若干，分别从所述Pwell区（3）顶面向下延伸；源区内的所述PP区（5）与NP区（4）连接； JTE区（6），位于终端区，从所述SiCDrift层（2）顶面向下延伸，并与所述PP区（5）连接； 栅氧化层（7），设有若干，源区的所述栅氧化层（7）分别与NP区（4）、Pwell区（3）和SiCDrift层（2）相连；终端区的所述栅氧化层（7）分别PP区（5）和Pwell区（3）连接； 场氧层（8），与终端区的所述栅氧化层（7）侧部连接，所述场氧层（8）底面分别与JTE区（6）和SiCDrift层（2）连接； Poly层（9），设有若干，源区的所述Poly层（9）设置在栅氧化层（7）顶面，终端区的所述Poly层（9）设置在栅氧化层（7）和场氧层（8）的顶面； 隔离介质层（10），设置在所述Poly层（9）顶面，侧部向下延伸，分别与所述NP区（4）、源区的Pwell区（3）、源区的PP区（5）和SiCDrift层（2）连接； 欧姆接触合金层（11），设有若干，分别间隔设置在终端的所述PP区（5）与NP区（4）顶面和源区的PP区（5）顶面； 正面电极金属层（12），设置在器件的顶部。

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