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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利降低续流损耗的SiC器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223310189U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422653389.1，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型降低续流损耗的SiC器件是由王正;杨程;裘俊庆;万胜堂;王坤;王毅设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本降低续流损耗的SiC器件在说明书摘要公布了：降低续流损耗的SiC器件，涉及半导体技术领域。通过在间隔排布的P‑body区和SiCDrift层之间形成的JFET区上，刻蚀形成平台区，并在上表面离子注入形成P+区，制备肖特基接触后实现了内部集成JBS二极管，在不过多增加芯片面积的同时减小了续流损耗。并且此设计还减小了栅极处Poly层和栅氧化层与SiCDrift层的耦合面积，从而减小了器件的栅漏寄生电容Cgd，提高了器件的开关性能，减小开关损耗。

本实用新型降低续流损耗的SiC器件在权利要求书中公布了：1.降低续流损耗的SiC器件，其特征在于，包括从下而上依次设置的SiCSub层（1）、顶部设有平台区的SiCDrift层（2）、肖特基接触合金层（11）和正面电极金属层（12）； 所述SiCDrift层（2）上设有： P-body区（3），设有若干，分别从所述SiCDrift层（2）的顶面向下延伸； NP区（4），设有若干，分别从相应所述P-body区（3）的顶面向下延伸； PP区（5），设有若干，分别从相应所述P-body区（3）的顶面向下延伸，并与所述NP区（4）侧部连接； P+区（6），设有若干，分别从所述平台区顶面间隔向下延伸； 栅氧化层（7），设有若干，分别设置在所述NP区（4）、P-body区（3）和SiCDrift层（2）的顶面； Poly层（8），设有若干，分别设置在相应所述栅氧化层（7）顶面； 隔离介质层（9），设置在所述Poly层（8）顶面，侧部向下延伸，分别与所述NP区（4）和SiCDrift层（2）连接；所述隔离介质层（9）的侧部与P+区（6）连接； 欧姆接触合金层（10），位于所述隔离介质层（9）侧部，底面分别与所述NP区（4）和PP区（5）连接； 肖特基接触合金层（11），设置在所述平台区的顶面，侧部与所述隔离介质层（9）连接，底面分别与所述P+区（6）和SiCDrift层（2）连接； 正面电极金属层（12），设置在器件的顶部。

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