无锡旷通半导体有限公司华路佳获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡旷通半导体有限公司申请的专利多层外延的沟槽栅超结MOS结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223310194U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422661458.3，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型多层外延的沟槽栅超结MOS结构是由华路佳;赵勇设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本多层外延的沟槽栅超结MOS结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种多层外延的沟槽栅超结MOS结构，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第一导电类型源区4、第二导电类型柱、栅极结构和第二导电类型浮区，第二导电类型体区设置在第一导电类型外延层的正面且位于第一导电类型外延层内；第一导电类型源区设置在第二导电类型体区的正面且位于第二导电类型体区内；第二导电类型柱从第一导电类型外延层的正面往背面延伸；栅极结构设置在第一导电类型外延层的正面且设置在相邻的两个第二导电类型柱之间；第二导电类型浮区设置在第一导电类型外延层内，并且位于栅极结构朝向第一导电类型衬底一侧和栅极结构间隔设置，本实用新型具有实现高耐压的同时，降低导通电阻的效果。
本实用新型多层外延的沟槽栅超结MOS结构在权利要求书中公布了：1.一种多层外延的沟槽栅超结MOS结构，其特征在于，包括： 第一导电类型衬底； 第一导电类型外延层，设置在第一导电类型衬底的正面； 第二导电类型体区，设置在第一导电类型外延层的正面且位于所述第一导电类型外延层内； 第一导电类型源区，设置在所述第二导电类型体区的正面且位于所述第二导电类型体区内； 第二导电类型柱，至少设置有两个，所述第二导电类型柱从所述第一导电类型外延层的正面往背面延伸； 栅极结构，设置在所述第一导电类型外延层的正面且设置在相邻的两个所述第二导电类型柱之间； 第二导电类型浮区，设置在所述第一导电类型外延层内，并且位于所述栅极结构朝向所述第一导电类型衬底一侧和所述栅极结构间隔设置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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