广西师范大学宋树祥获国家专利权
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龙图腾网获悉广西师范大学申请的专利基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223308415U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422695008.6,技术领域涉及:G02B6/122;该实用新型基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器是由宋树祥;李海盛;蔡超波;唐晓虎;岑明灿设计研发完成,并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器,包括硅基衬底、保护层和光波导。所述光波导由输入波导、多模干涉区域和两个相同的输出波导构成;所述多模干涉区域由多模干涉区域A、多模干涉区域B构成;所述输出波导由输出渐变区域C、输出渐变区域D和输出直波导构成;所述输入渐变波导、多模干涉区域A、多模干涉区域B、输出渐变区域C和输出渐变区域D均为等腰梯形体结构。本实用新型在1.55μm的波长下附加损耗为0.009dB。在1dB的附加损耗下,器件的带宽大于0.8μm。本实用新型对比于其他MMI结构,展现了大带宽、低损耗和高工艺容差的特点。
本实用新型基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器在权利要求书中公布了:1.一种多模干涉耦合器,包括硅基衬底、保护层和光波导,其特征在于,所述光波导由输入波导、多模干涉区域和两个相同的输出波导构成;所述输入波导由输入直波导、输入渐变波导构成;所述多模干涉区域由多模干涉区域A、多模干涉区域B构成;所述输出波导由输出渐变区域C、输出渐变区域D和输出直波导构成;输入直波导与输入渐变波导的一端对接,对接处宽度为W1=1.5um;输入渐变波导的另一端与多模干涉区域A的一端对接,对接处宽度为W2=2.5um;多模干涉区域A的另一端与多模干涉区域B的一端对接,对接处宽度为W3=5um;多模干涉区域B的另一端与两个输出渐变区域C的一端对接,对接处宽度为W4=6um;两个输出渐变区域C的另一端分别与两个输出渐变区域D对接,对接处宽度为W5=2.5um;两个输出渐变区域D的另一端分别与两个输出直波导对接,对接处宽度为W6=1.5um;输入直波导长度L1=10um,输入渐变波导长度L2=10um,多模干涉区域A长度L3=5um,多模干涉区域B长度L4=22um,输出渐变区域C长度L5=0.5um,输出渐变区域D长度L6=5um,输出直波导长度L7=10um;所述输入渐变波导、多模干涉区域A、多模干涉区域B、输出渐变区域C和输出渐变区域D均为等腰梯形体结构,所述光波导由薄膜铌酸锂材料制成,薄膜厚度为0.3um。
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