烟台齐新半导体技术研究院有限公司侯森获国家专利权
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龙图腾网获悉烟台齐新半导体技术研究院有限公司申请的专利线圈结构及MEMS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223304166U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422702648.5，技术领域涉及：B81B7/02；该实用新型线圈结构及MEMS器件是由侯森设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本线圈结构及MEMS器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种线圈结构及MEMS器件，所述线圈结构包括衬底和设在所述衬底上的线圈。所述衬底的一侧表面开设有向内凹陷的凹槽，所述凹槽的轨迹由所述衬底表面的中心呈螺旋状向所述衬底的外周延伸，所述衬底设有所述凹槽一侧的表面设有薄膜层，所述凹槽内设有所述线圈，所述线圈上或所述凹槽的侧壁上设有应力释放孔。本申请提供的线圈结构及MEMS器件能够有效减少线圈在应力变形中对衬底的挤压力，减少了衬底因应力导致的变形或开裂问题的发生，提高了产品质量和产品良率，降低了废品率和生产成本。
本实用新型线圈结构及MEMS器件在权利要求书中公布了：1.一种线圈结构，用于MEMS器件，其特征在于，所述线圈结构包括衬底1和设在所述衬底1上的线圈2； 所述衬底1的一侧表面开设有向内凹陷的凹槽12，所述凹槽12的轨迹由所述衬底1表面的中心呈螺旋状向所述衬底1的外周延伸，所述衬底1设有所述凹槽12一侧的表面设有薄膜层3，所述凹槽12内设有所述线圈2，所述线圈2上或所述凹槽12的侧壁上设有应力释放孔4。
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