无锡旷通半导体有限公司何军获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡旷通半导体有限公司申请的专利EMI优化的半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223310195U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422711725.3，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型EMI优化的半导体器件是由何军;华路佳设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本EMI优化的半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种EMI优化的半导体器件，其包括有源区栅极焊盘和栅总线，有源区包括多个元胞，元胞内设置有栅极，多个元胞内的栅极相互串联；栅极焊盘包括依次设置的第一多晶硅和第一金属层；栅总线和栅极焊盘连接，栅总线包括第一部分和第二部分，第一部分包括第二多晶硅和第二金属层，所述第二部分包括第三多晶硅，所述第二多晶硅和所述第三多晶硅一体成型设置，所述第二多晶硅和所述栅极串联，所述第三多晶硅和所述第一多晶硅连接，所述第一金属层和第二金属层之间留有间隙，本实用新型具有既能降低器件开通震荡，提升EMI特性，又不会增加终端电路设计复杂度和成本的效果。
本实用新型EMI优化的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种EMI优化的半导体器件，其特征在于，包括： 有源区，包括多个元胞，所述元胞内设置有栅极，多个所述元胞内的栅极相互串联； 栅极焊盘，包括依次设置的第一多晶硅和第一金属层； 栅总线，和栅极焊盘连接，所述栅总线包括第一部分和第二部分，所述第一部分包括第二多晶硅和第二金属层，所述第二部分包括第三多晶硅，所述第二多晶硅和所述第三多晶硅一体成型设置，所述第二多晶硅和所述栅极串联，所述第三多晶硅和所述第一多晶硅连接，所述第一金属层和第二金属层之间留有间隙。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡旷通半导体有限公司，其通讯地址为：214142 江苏省无锡市新吴区新安街道清源路20号立业楼C521；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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