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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利一种抗机器学习攻击的双层动态激励互选MPUF电路及其动态激励互选MPUF生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119538327B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411591873.4，技术领域涉及：G06F21/72；该发明授权一种抗机器学习攻击的双层动态激励互选MPUF电路及其动态激励互选MPUF生成方法是由王佑;吴思滢;刘伟强设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗机器学习攻击的双层动态激励互选MPUF电路及其动态激励互选MPUF生成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗机器学习攻击的双层动态激励互选MPUF电路及其动态激励互选MPUF生成方法，以第一选择激励模块、第二选择激励模块中任意一个作为激励模块时，另一个为响应模块，激励模块给对应自旋转移矩‑磁性随机存储器阵列输入激励信号，对应预充电感测放大器电路的放电路径端口从对应自旋转移矩‑磁性随机存储器阵列中选择两路放电路径进行比较，产生响应信号，输入混淆解码器电路，给响应模块产生激励信号，响应模块对应的预充电感测放大器电路的放电路径端口根据响应模块产生激励信号从对应自旋转移矩‑磁性随机存储器阵列中选择两路放电路径进行比较，输出比较结果。本发明提高抗机器学习攻击的能力，从而提升使用时的安全性。

本发明授权一种抗机器学习攻击的双层动态激励互选MPUF电路及其动态激励互选MPUF生成方法在权利要求书中公布了：1.一种抗机器学习攻击的双层动态激励互选MPUF电路，其特征在于，包括：第一选择激励模块、第一预充电感测放大器电路、第一自旋转移矩-磁性随机存储器阵列、混淆解码电路、第二选择激励模块、第二预充电感测放大器电路和第二自旋转移矩-磁性随机存储器阵列； 当第一选择激励模块作为激励模块时，第二选择激励模块作为响应模块，此时，所述第一选择激励模块用于给第一自旋转移矩-磁性随机存储器阵列输入激励信号，所述第一预充电感测放大器电路的放电路径端口根据激励信号从第一自旋转移矩-磁性随机存储器阵列中选择两路放电路径进行比较，产生响应信号，输入混淆解码器电路，通过混淆解码器电路控制第二选择激励模块产生激励信号，所述第二预充电感测放大器电路的放电路径端口根据第二选择激励模块产生激励信号从第二自旋转移矩-磁性随机存储器阵列中选择两路放电路径进行比较，输出比较结果； 当第二选择激励模块作为激励模块时，第一选择激励模块作为响应模块，此时，所述第二选择激励模块用于给第二自旋转移矩-磁性随机存储器阵列输入激励信号，所述第二预充电感测放大器电路的放电路径端口根据激励信号从第二自旋转移矩-磁性随机存储器阵列中选择两路放电路径进行比较，产生响应信号，输入混淆解码器电路，通过混淆解码器电路控制第一选择激励模块产生激励信号，所述第一预充电感测放大器电路的放电路径端口根据第一选择激励模块产生激励信号从第一自旋转移矩-磁性随机存储器阵列中选择两路放电路径进行比较，输出比较结果。

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