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龙图腾网获悉深圳市赛迈特新材料有限公司申请的专利一种冷坩埚法直拉法生长氧化镓单晶的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119372764B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411593683.6，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权一种冷坩埚法直拉法生长氧化镓单晶的方法是由方智;温锐;顾笑言;朱晓东设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种冷坩埚法直拉法生长氧化镓单晶的方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体晶圆制造技术领域，具体涉及一种冷坩埚法直拉法生长氧化镓单晶的方法，通过向坩埚内的氧化镓原料第一高频加热，在保温一定时间后，再提高加热频率，使得氧化镓完全融化，并通过冷却水的压力调整，使得融化后的氧化镓在坩埚内壁处形成一层氧化镓固体层，隔绝中心处氧化镓与坩埚内壁的接触，然后进行拉晶，在拉晶的同时，逐渐降低加热频率。本技术方案通过对坩埚结构的设计及高频加热装置的加热频率的调节，实现在拉晶过程中，在氧化镓熔液与坩埚内表面之间形成一层固态氧化镓层，该氧化镓固体层能够完全隔绝内部氧化镓与坩埚本体材料的接触，避免生产的氧化镓晶体受到污染。

本发明授权一种冷坩埚法直拉法生长氧化镓单晶的方法在权利要求书中公布了：1.一种冷坩埚法直拉法生长氧化镓单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将经过前处理后的氧化镓原料加入到坩埚内，启动真空泵，将装置内的空气抽出，真空度达到设定值，然后向装置内注入混有氧气的氩气，使得装置内的压力达到设定压力； S2、启动高频加热装置，对坩埚内的氧化镓原料加热，加热频率为3×106，保持氧化镓原料匀速升温至1750℃，并保温1-3小时；在加热的同时，向坩埚的冷却腔内通入80-100℃冷却水，冷却水的压力为0.1-0.3MPa； S3、将高频加热装置的加热频率调整为2×107，将氧化镓加热到1820-1850℃，然后增加冷却水的压力到1.0-1.5MPa，并保温3-5小时； S4、启动氧化镓拉晶组件进行拉晶，并且在拉晶过程中，抬升装置带动坩埚同步抬升，在坩埚抬升过程中，高频加热装置的加热频率从2×107下降至3×106； 步骤S1中，装置包括坩埚，所述坩埚包括坩埚本体，在坩埚本体的底部及侧壁内设置有连通的冷却腔，分别为底部冷却腔和侧部冷却腔，在底部冷却腔及侧部冷却腔上均设置有冷却水进水口及冷却水出水口； 所述侧部冷却腔的整体形状为圆筒形，所述底部冷却腔的整体形状为圆板形，所述侧部冷却腔的沿坩埚径向的尺寸与坩埚的内径比为1：20-100； 所述高频加热装置包括高频加热线圈，且同一层的高频加热线圈的相邻两个线圈之间的距离不相等； 所述高频加热线圈自上下两端向中间延伸，相邻两个线圈的间距逐渐减小。

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