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龙图腾网获悉中国工程物理研究院激光聚变研究中心申请的专利一种六方晶格下阴影效应粒子碰撞点轨迹确定方法、设备、介质及产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119558157B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411607094.9，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权一种六方晶格下阴影效应粒子碰撞点轨迹确定方法、设备、介质及产品是由蒋晓龙;倪卫;朱启华;廖威;栾晓雨;张传超;王海军;方振华;邓青华;贾宝申;王静轩设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种六方晶格下阴影效应粒子碰撞点轨迹确定方法、设备、介质及产品在说明书摘要公布了：本申请公开了一种六方晶格下阴影效应粒子碰撞点轨迹确定方法、设备、介质及产品，涉及干法刻蚀和薄膜沉积表面微观形貌理论模拟领域。本申请基于三维晶格堆叠的层数高度，将六方晶格模型拆分成奇数层晶格单元和偶数层晶格单元；通过对奇偶数层先分开计算再合并比对的方式，解决了相邻奇偶数层间空间位置错位的问题，降低数值化处理难度；通过确定垂线与粒子飞行轨迹线间的垂直距离，实时剔除了六方晶格模型轮廓表面下无碰撞的晶格单元，节约计算量；通过确定投影分量，得到粒子飞行过程中与表面三维形貌的碰撞点，实现碰撞点的高效定位，提高六方晶格下阴影效应粒子碰撞点轨迹确定的效率。

本发明授权一种六方晶格下阴影效应粒子碰撞点轨迹确定方法、设备、介质及产品在权利要求书中公布了：1.一种六方晶格下阴影效应粒子碰撞点轨迹确定方法，其特征在于，所述六方晶格下阴影效应粒子碰撞点轨迹确定方法包括： 基于六方晶格模型的表面三维形貌确定三维晶格堆叠的层数高度； 基于三维晶格堆叠的层数高度，将六方晶格模型拆分成晶格单元；所述晶格单元包括：奇数层晶格单元和偶数层晶格单元； 以六方晶格模型的长度延伸方向为X轴正方向，六方晶格模型的宽度延伸方向为Y轴正方向，以六方晶格模型的高度延伸方向为Z轴正方向，构建实际空间坐标系； 基于所述实际空间坐标系确定所述晶格单元的XY平面； 将通过所述晶格单元的中心点且与所述晶格单元的XY平面垂直的直线作为垂线，得到第一垂线集； 获取六方晶格模型中的粒子飞行轨迹线； 在所述实际空间坐标系中，确定所述第一垂线集中每条垂线与所述粒子飞行轨迹线间的垂直距离，作为第一垂直距离； 从所述第一垂线集中筛选得到所述第一垂直距离小于设定值的垂线和晶格单元，以生成第二垂线集和第一晶格集； 在所述实际空间坐标系中，确定第二垂线集中每条垂线所串起的晶格单元的中心点与所述粒子飞行轨迹线间的垂直距离，作为第二垂直距离； 筛选出所述第二垂直距离小于1个晶格对应的垂线以及与这一垂线对应的晶格单元，形成第三垂线集和第二晶格集； 获取沉积粒子的初始位置； 在所述实际空间坐标系中，确定所述沉积粒子的初始位置到第二晶格集中晶格单元的中心点的距离在粒子飞行方向上的投影分量，将最小投影分量对应的晶格单元作为粒子飞行过程中与所述表面三维形貌的碰撞点； 基于得到的碰撞点生成六方晶格下阴影效应粒子碰撞点轨迹。

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