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龙图腾网获悉西安航天民芯科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司申请的专利一种内嵌两位辅助量化器的SAR ADC结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119628643B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411663609.7，技术领域涉及：H03M1/38；该发明授权一种内嵌两位辅助量化器的SAR ADC结构是由罗红瑞;焦子豪;胡森然;贾杨;王嘉昊;李聪颖;刘瑞;张婧晶设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种内嵌两位辅助量化器的SAR ADC结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种内嵌两位辅助量化器的SARADC结构，其涉及半导体器件技术领域。包括：包括输入电压模块、高位电容阵列模块、桥接电容模块和比较器模块。本发明所提供的一种内嵌两位辅助量化器的SARADC结构能够实现在宽电压输入的前提下，通过两位辅助量化器生成最高有效位MSB和次有效位MSB‑1的比较结果，并根据比较结果控制开关阵列的切换以及高位电容的置位与复位，以参与SARADC的量化过程，使得比较器输入端VN和VP的电压范围控制在1.8V内，即实现了宽电压输入条件下对输入信号在低压器件上的量化处理，使SARADC满足了宽电压输入和低工作电压的需求，优化了SARADC的速度、功耗等技术指标。

本发明授权一种内嵌两位辅助量化器的SAR ADC结构在权利要求书中公布了：1.一种内嵌两位辅助量化器的SARADC结构，其特征在于，包括：输入电压模块、高位电容阵列模块、开关阵列模块和比较器模块； 所述输入电压模块包括：电压输入端VIN、电压输入端VIP、共模电压输入端VCM、参考电压正端VREFP和参考电压负端VREFN； 所述高位电容阵列模块包括：N端电路的第一位电容C1N、第二位电容C2N、第三位电容C3N、第四位电容C4N、第五位电容为C5N、第六位电容C6N、电容CRN和冗余电容C6P_R，与P端电路的第一位电容C1P、第二位电容C2P、第三位电容C3P、第四位电容C4P、第五位电容为C5P、第六位电容C6P、电容CRP和电容C6P_R； 所述开关阵列模块包括：N端电路的开关SWNR6和开关SWN6，与P端电路的开关SWPR6和开关SWP6； 所述比较器模块包括：比较器正输入端VN和比较器负输入端VP； N端电路的第一位电容C1N、第二位电容C2N、第三位电容C3N、第四位电容C4N、第五位电容为C5N和电容CRN的上极板均通过开关SWN连接比较器正输入端VN；P端电路的第一位电容C1P、第二位电容C2P、第三位电容C3P、第四位电容C4P、第五位电容为C5P和电容CRP的上极板均通过开关SWP连接比较器负输入端VP； 针对N端电路，所述第一位电容C1N、第二位电容C2N、第三位电容C3N、第四位电容C4N和第五位电容C5N的下极板分别通过各自的开关连接多个N端电压输入端口，所述多个N端电压输入端口包括：电压输入端VIN、共模电压输入端VCM、参考电压正端VREFP和参考电压负端VREFN； 针对P端电路，所述第一位电容C1P、第二位电容C2P、第三位电容C3P、第四位电容C4P和第五位电容C5P的下极板分别通过各自的开关连接多个P端电压输入端口，所述多个P端电压输入端口包括：电压输入端VIP、共模电压输入端VCM、参考电压正端VREFP和参考电压负端VREFN； 所述参考电压正端VREFP或参考电压负端VREFN，通过开关SWNR连接电容CRN的下极板，通过开关SWPR连接电容CRP的下极板； 电压输入端VIN、共模电压输入端VCM、参考电压正端VREFN、参考电压负端VREFP，通过开关SWNR6切换连接冗余电容C6N_R的下极板，通过开关SWN6切换连接第六位电容C6N的下极板；冗余电容C6N_R的上极板和第六位电容C6N的上极板连接比较器的正输入端VN； 电压输入端VIP、共模电压输入端VCM、参考电压正端VREFN、参考电压负端VREFP，通过开关SWPR6切换连接冗余电容C6P_R的下极板，通过开关SWP6切换连接第六位电容C6P的下极板；冗余电容C6P_R的上极板和第六位电容C6P的上极板连接比较器的负输入端VP。

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