中国航空综合技术研究所陈宇获国家专利权
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龙图腾网获悉中国航空综合技术研究所申请的专利用于FPGA系统在辐射中单粒子效应诱发故障率的预测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119619654B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411659948.8,技术领域涉及:G01R31/00;该发明授权用于FPGA系统在辐射中单粒子效应诱发故障率的预测方法是由陈宇;游亚飞;边智;张宇;刘泽萌;贾润川;杨昭君设计研发完成,并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于FPGA系统在辐射中单粒子效应诱发故障率的预测方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种用于FPGA系统在辐射中单粒子效应诱发故障率的预测方法,具体步骤为:对FPGA系统的辐射环境进行表征;确定FPGA系统在辐射环境下单粒子效应的敏感性;建立FPGA系统在辐射环境下的注量域可靠性模型:将单粒子效应截面σSEE的特性转化为对应的平均无故障注量MFTF,根据平均无故障注量MFTF和辐射场中单位面积上通过的粒子总数Φ,建立各能谱段或LET谱段在给定辐射注量内的FPGA系统可靠度模型。本发明结合物理过程分析和数据驱动的手段,建立注量域可靠性模型,从而提高相关设备在特殊物理环境下的可靠性。
本发明授权用于FPGA系统在辐射中单粒子效应诱发故障率的预测方法在权利要求书中公布了:1.一种用于FPGA系统在辐射中单粒子效应诱发故障率的预测方法,其特征在于,具体实施步骤为: S1、对FPGA系统的辐射环境进行表征: S11、根据FPGA系统在辐射环境下可靠性评估的工作需求和任务剖面,得到LET谱和能谱; S12、将步骤S11得到的LET谱和能谱根据需求分别划分多个能量段和LET段,并计算各个能量段和LET段在规定时间内的粒子注量; S2、确定FPGA系统在辐射环境下单粒子效应的敏感性:应用不同线性能量转移的离子、不同能量的质子或不同能量的中子,对步骤S11得到的能谱段和LET谱段分别开展SEE试验,获得不同LET的离子、不同能量质子或不同能量中子对应的单粒子效应截面σSEE,所述单粒子效应截面σSEE的表达式为: σSEE=#errorsfluence 式中,#errors为失效粒子的数量,fluence是指在单位面积上通过的粒子总数,通常用来描述粒子束或辐射场的强度; S3、建立FPGA系统在辐射环境下的注量域可靠性模型: S31、将步骤S2得到的单粒子效应截面σSEE的特性转化为对应的平均无故障注量MFTF,具体表达式为: MFTF=1σSEE; S32、根据步骤S31获得的平均无故障注量MFTF和辐射场中单位面积上通过的粒子总数Φ,建立各能谱段或LET谱段在给定辐射注量内的FPGA系统可靠度模型,所述FPGA系统的注量域可靠度模型的具体表达式为: RΦ=e-ΦMFTF; S4、计算FPGA系统在辐射环境下的可靠度: S41、根据FPGA系统在辐射环境下的工作时间,计算各能谱段和LET谱段的粒子通量; S42、将步骤S41得到的粒子通量,利用步骤S3得到的注量域可靠度模型,计算各能谱段和LET谱段的可靠度; S5、根据步骤S4得到的可靠度结果,并与步骤S11中的可靠性要求进行对比,获得FPGA系统在指定辐射环境中指定时间周期内的可靠度。
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