通威微电子有限公司邓欢获国家专利权
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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利带有牺牲结构的晶体生长装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119507031B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411682994.X，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权带有牺牲结构的晶体生长装置是由邓欢设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本带有牺牲结构的晶体生长装置在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种带有牺牲结构的晶体生长装置，涉及碳化硅晶体生长技术领域。该晶体生长装置包括坩埚、温度调节腔体、加热装置以及牺牲结构。其中，坩埚包括坩埚本体、坩埚盖和籽晶，坩埚盖与坩埚本体共同围成晶体生长腔，籽晶设置于坩埚盖的内侧壁上并位于晶体生长腔内。温度调节腔体罩设于坩埚盖外，并与坩埚盖共同围成温度调节腔。加热装置设置于坩埚本体以及温度调节腔体的外周，用于加热坩埚本体以及温度调节腔体。牺牲结构设置于坩埚盖的外侧壁上，并位于温度调节腔内，牺牲结构用于在加热装置加热的情况下发生升华，以调节晶体生长腔内的温度梯度。该晶体生长装置能够提高晶体生长效率和质量。
本发明授权带有牺牲结构的晶体生长装置在权利要求书中公布了：1.一种带有牺牲结构的晶体生长装置，其特征在于，包括： 坩埚100，所述坩埚100包括坩埚本体110、坩埚盖120和籽晶130，所述坩埚盖120可拆卸地连接于所述坩埚本体110的顶部，所述坩埚盖120与所述坩埚本体110共同围成用于容置晶体生长原料12的晶体生长腔140，所述籽晶130设置于所述坩埚盖120的内侧壁121上并位于所述晶体生长腔140内； 温度调节腔体200，所述温度调节腔体200罩设于所述坩埚盖120外，并与所述坩埚盖120共同围成温度调节腔210； 加热装置300，所述加热装置300设置于所述坩埚本体110以及所述温度调节腔体200的外周，用于加热所述坩埚本体110以及所述温度调节腔体200；以及， 牺牲结构400，所述牺牲结构400设置于所述坩埚盖120的外侧壁122上，并位于所述温度调节腔210内，所述牺牲结构400用于在所述加热装置300加热的情况下发生升华，以调节所述晶体生长腔140内的温度梯度。
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