湖北兴福电子材料股份有限公司徐泽获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北兴福电子材料股份有限公司申请的专利一种提高FIB-材料分析导电性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119715643B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411695639.6，技术领域涉及：G01N23/2251；该发明授权一种提高FIB-材料分析导电性的方法是由徐泽;贺兆波;叶瑞;曾远;黄莉设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高FIB-材料分析导电性的方法在说明书摘要公布了：一种提高FIB‑材料分析导电性的方法，包括以下步骤：在扫描电子显微镜模式下找到目标区域，倾转样品台准备在离子束下进行保护层沉积，保护层沉积前伸入纳米机械手增强导电性辅助沉积，利用离子束对目标区域进行粗切和细切后得到目标截面，回纳米机械手，调整扫描电子显微镜下观察截面区域位置，拍摄前再伸入纳米机械手来增强导电性提高拍摄照片质量。该方法利用纳米机械手的导电性，有效改善了样品表面电荷的聚集。使得在离子束下镀W和粗切时不会出现图像漂移的现象，从而能够在目标区域精准镀W和粗切，并且提高了截面拍摄图像的质量。该方法操作简单，精准度高，具有快速提高样品导电性的效果，有很强的实用性。
本发明授权一种提高FIB-材料分析导电性的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高FIB-材料分析导电性的方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）在扫描电子显微镜模式下找到的目标区域； （2）倾转样品台准备在离子束下进行保护层沉积； （3）伸入纳米机械手增强导电性辅助沉积，在离子束窗口下，电压20-30kV，束流为80-430pA，进入纳米机械手，在接触到FIB材料表面后瞬间停止移动； （4）目标区域进行保护层沉积； （5）利用离子束对目标区域进行粗切和细切后得到目标截面； （6）收回纳米机械手，调整扫描电子显微镜下观察截面区域位置； （7）拍摄前再伸入纳米机械手来增强导电性提高拍摄照片质量，在电子束窗口下，电压1-10kV，束流25-200pA，进入纳米机械手，在接触到FIB材料表面后瞬间停止移动。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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