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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种应用于ADC中的差分参考电压缓冲器及其工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119645186B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411789280.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种应用于ADC中的差分参考电压缓冲器及其工作方法是由郭春炳;胡明涛;徐莎;王振宇;简明朝;蔡晓存;钟晓红;连昊;严志谦设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于ADC中的差分参考电压缓冲器及其工作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于ADC中的差分参考电压缓冲器及其工作方法，差分参考电压缓冲器中，带隙基准Bandgap的稳定性能和误差放大器AMP1、误差放大器AMP2、误差放大器AMP3构成的负反馈环路共同作用下确保在不同PVT条件下输出电压的稳定性，可减少由于PVT变化导致的输出电压误差偏移。通过精确的电阻分压和误差放大器的钳位作用，能够提供高精度的正向和负向参考输入电压，从而实现高精度的模数转换。在CDAC开关切换时，本发明能够屏蔽由于打线电感引入的振铃现象，确保了参考电压的稳定输出。差分设计和优化的电路布局减少不同通道子ADC之间的参考电压串扰，从而提高系统的可靠性和ADC的性能。

本发明授权一种应用于ADC中的差分参考电压缓冲器及其工作方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于ADC中的差分参考电压缓冲器，其特征在于，包括差分参考电压产生模块、差分参考电压缓冲模块和差分参考电压驱动模块； 所述差分参考电压缓冲模块连接于差分参考电压产生模块和差分参考电压驱动模块之间； 所述差分参考电压产生模块包括带隙基准Bandgap、误差放大器AMP1、NMOS源级跟随器MN8以及多晶硅电阻R1和R2； 其中，误差放大器AMP1的正向输入端连接到带隙基准Bandgap的输出端，由带隙基准Bandgap产生输入参考电压Vref_in；误差放大器AMP1的负向输入端与NMOS源级跟随器MN8的源极、多晶硅电阻R1的一端以及差分参考电压缓冲模块相连，形成正向参考输入电压Vrefp_in；误差放大器AMP1的输出端连接到NMOS源级跟随器MN8的栅极，产生偏置电压Vb6；NMOS源级跟随器MN8的漏极则连接到电源VDD；多晶硅电阻R1的另一端与多晶硅电阻R2的一端连接至差分参考电压缓冲模块，以产生负向参考输入电压Vrefn_in，多晶硅电阻R2的另一端接地； 所述差分参考电压缓冲模块包括误差放大器AMP2、误差放大器AMP3、NMOS源级跟随器MN1、NMOS源级跟随器MN2、NMOS电流镜MN3以及NMOS电流镜MN7； 所述差分参考电压驱动模块包括多晶硅电阻R3、多晶硅电阻R4、滤波电容C1、NMOS源级跟随器MN4、NMOS源级跟随器MN5以及NMOS电流镜MN6； 其中，多晶硅电阻R3的一端与AMP2的输出端连接，多晶硅电阻R3的另一端连接到滤波电容C1的上极板和NMOS源级跟随器MN4的栅极，产生偏置电压Vb4； 多晶硅电阻R4的一端与误差放大器AMP3的输出端连接，多晶硅电阻R4的另一端连接到滤波电容C1的下极板和NMOS源级跟随器MN5的栅极，产生偏置电压Vb5； NMOS源级跟随器MN4的源极与NMOS源级跟随器MN5的漏极相连，输出正向参考输出电压Vrefp_out； NMOS源级跟随器MN5的源极与NMOS电流镜MN6的漏极相连，输出负向参考输出电压Vrefn_out； NMOS源级跟随器MN4的漏极连接到VDD，NMOS电流镜MN6的源极接地。

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