中北大学苏宁宁获国家专利权
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龙图腾网获悉中北大学申请的专利一种传感器芯片金属电极热防护结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119935197B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510093995.9，技术领域涉及：G01D5/16；该发明授权一种传感器芯片金属电极热防护结构及其制备方法是由苏宁宁;吴超;齐润;王俊强;尉升升;李孟委设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种传感器芯片金属电极热防护结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种传感器芯片金属电极热防护结构及其制备方法，属于金属电极热防护结构技术领域。本发明的热防护结构包括：传感器基底，其上依次设置有电极缓冲层和连续多层Pt‑W电极。在这种结构中，Pt电极是在W电极上沉积的，这种沉积方式使得Pt晶体结构更加稳定。本发明通过精确控制溅射工艺来制备连续多层的Pt‑W电极，可以显著提高Pt晶体的质量，从而有效避免Pt电极在高温环境下发生二次结晶，即所谓的“团聚”现象。本发明的热防护结构能够在不影响引线键合的前提下，确保电极电阻在高温环境中不会急剧增加，从而提高了热阻式传感器在高温环境下工作的可靠性。
本发明授权一种传感器芯片金属电极热防护结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种传感器芯片金属电极的热防护结构，其特征在于，所述热防护结构为层状结构，包括依次设置的传感器芯片衬底、电极缓冲层和Pt-W电极层； 其中，所述Pt-W电极层的层数为15-21层，每层厚度为20-30nm； 所述热防护结构的制备方法，包括以下步骤： （1）在传感器芯片衬底上沉积一层绝缘层，然后在其表面图形化出电极部分，刻蚀出埋层底电极空腔，然后磁控溅射金属，制得电极缓冲层； （2）在步骤（1）电极缓冲层表面磁控溅射Pt金属，然后去胶，制得Pt电极层； （3）干法转移单层石墨烯到Pt电极层上，制得温敏单元，并图形化温敏单元； （4）在温敏单元表面沉积Si3N4薄膜，制得温敏单元高温防护层，然后对Pt电极层表面刻蚀开窗； （5）在步骤（4）Pt电极层表面磁控溅射W金属，制得W电极层，然后在W电极层表面磁控溅射Pt金属，制得Pt-W电极层； （6）重复步骤（5），制得。
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