买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉浙江芯动科技有限公司申请的专利一种SOI片顶硅位错缺陷检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119993855B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510099463.6，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种SOI片顶硅位错缺陷检测方法是由孙延涛;杨汉琪;寿允丰;刘聪设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SOI片顶硅位错缺陷检测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体制造的技术领域，它涉及一种SOI片顶硅位错缺陷检测方法，提供待测SOI硅片，测量顶硅层初始厚度H0，以用于后续处理参数的确定；将SOI硅片置于腐蚀液中，在顶硅层腐蚀过程中厚度H0减少至设定值时，使位错缺陷区域优先腐穿产生贯穿埋氧层的微孔；将经腐蚀处理后的SOI硅片置于氢氟酸中处理，以扩展位错缺陷穿孔区域至可见范围，通过光学显微镜观测扩展后的位错穿孔区域，统计多个视野内的位错缺陷数量；根据缺陷数量和显微镜视野面积计算位错缺陷密度，并对样品质量进行评估，本发明采用化学腐蚀结合光学显微镜检测，设备成本低廉，检测耗材成本可控，大幅降低检测费用，适合大批量SOI硅片的在线质量检测。

本发明授权一种SOI片顶硅位错缺陷检测方法在权利要求书中公布了：1.一种SOI片顶硅位错缺陷检测方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1、提供待测SOI硅片，测量顶硅层初始厚度H0，以用于后续处理参数的确定； 步骤S2、将SOI硅片置于腐蚀液中，在顶硅层腐蚀过程中厚度H0减少至设定值时，利用位错缺陷区域和无缺陷区域的腐蚀速率差异，使位错缺陷区域优先腐穿产生贯穿埋氧层的微孔； 步骤S3、将经腐蚀处理后的SOI硅片置于氢氟酸中处理，以扩展位错缺陷穿孔区域至可见范围； 步骤S4、通过光学显微镜观测扩展后的位错穿孔区域，统计多个视野内的位错缺陷数量； 步骤S5、根据缺陷数量和显微镜视野面积计算位错缺陷密度，并对样品质量进行评估； 所述步骤S2具体包括如下步骤： S21、参数包括腐蚀液类型浓度C和温度T，腐蚀液类型根据顶硅层材料特性选择碱性腐蚀液或氧化性腐蚀液； S22、将SOI硅片置于腐蚀液中，利用厚度监测器实时测量顶硅层厚度Ht，所述厚度随时间t按照以下数学模型进行腐蚀：； 其中，为顶硅层的初始厚度；为无缺陷区域的腐蚀速率，定义为：；其中k为腐蚀液的反应速率常数；为腐蚀活化能；R为气体常数，T为腐蚀液温度； S23、在顶硅层厚度减少至设定值HTarget时，利用位错缺陷区域与无缺陷区域的腐蚀速率差异，使位错缺陷区域的腐蚀速率； 其中为速率增强因子，其范围为2-4； S24、根据实时厚度监测数据，对腐蚀液的浓度和温度进行动态调整，以使腐蚀速率保持在设定的目标范围内，调整方式包括： 若实际腐蚀速率Vc低于目标速率时，增加腐蚀液浓度3%-5%和升高温度10℃-15℃； 若实际腐蚀速率Vc高于目标速率时，减少腐蚀液浓度3%-5%和降低温度10℃-15℃； S25、当腐蚀达到终点条件，即顶硅厚度减少至设定值HTarget后，终止腐蚀过程并对SOI硅片进行清洗，以去除残留腐蚀产物，确保顶硅层表面清洁。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江芯动科技有限公司，其通讯地址为：314006 浙江省嘉兴市南湖区大桥镇汇信路350号2号楼1层101室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。