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龙图腾网获悉安徽芯塔电子科技有限公司申请的专利一种低比导通电阻且高可靠性的碳化硅功率器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152343B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510230117.7，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种低比导通电阻且高可靠性的碳化硅功率器件及其制造方法是由倪炜江设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低比导通电阻且高可靠性的碳化硅功率器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低比导通电阻且高可靠性的碳化硅功率器件及其制造方法，通过在部分第二导电类型半导体阱区下方即第一导电类型半导体源区正下方制备有第一导电类型半导体载流子扩散层，以降低器件的比导通电阻；进一步地，与半导体载流子扩散层左右两侧相邻的突出半导体阱区与第一沟槽底部的第二导电类型半导体屏蔽区共同调制栅氧电场，可比仅沟槽底部引入半导体屏蔽区进一步地降低栅氧电场，以提升器件可靠性，通过设置本发明中的一系列结构，在不增加工艺复杂度的前提下，不仅优化了器件的比导通电阻和可靠性，还降低了制造成本。

本发明授权一种低比导通电阻且高可靠性的碳化硅功率器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种低比导通电阻且高可靠性的碳化硅功率器件，其特征在于，包括： 半导体漏区1，其为重掺杂第一导电类型的半导体材料； 半导体缓存区2，其为略重掺杂的第一导电类型的半导体材料； 半导体漂移区3，其为轻掺杂第一导电类型的半导体材料； 第二导电类型半导体阱区4，其位于半导体漂移区3顶端； 第一导电类型半导体源区5，其位于第二导电类型半导体阱区4顶端中间位置；第二导电类型半导体重掺杂区6，其位于第二导电类型半导体阱区4且远离中间位置； 第一导电类型载流子扩散层7，其位于第二导电类型半导体阱区4以及第二导电类型半导体屏蔽区9之间； 第一沟槽8，其位于半导体漂移区3中间位置，从第一导电类型半导体源区5延申入半导体漂移区3中； 第二导电类型半导体屏蔽区9环绕着第一沟槽8底部； 栅极介质层10位于第一沟槽8的内壁； 栅极电极11，其位于第一沟槽8的栅极介质层10上； 层间介质层12，其位于栅极电极11之上； 层间介质层12中设有接触孔13-1； 接触孔13-1制备过程中过刻碳化硅，从而在碳化硅中形成有第二沟槽13-2； 源端金属电极14，其位于层间介质上方，通过第二沟槽13-2与第一导电类型半导体源区5和第二导电类型半导体重掺杂区6形成欧姆接触； 漏端金属电极15，其位于半导体漏区1的下方，且与半导体漏区1形成欧姆接触。

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