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龙图腾网获悉河北大学申请的专利一种基于后碲化处理的高功率因子Bi₂Se₃薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119876863B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510289879.4，技术领域涉及：C23C14/28；该发明授权一种基于后碲化处理的高功率因子Bi₂Se₃薄膜的制备方法是由李志亮;高志;王淑芳;侯帅航;宁兴坤设计研发完成，并于2025-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于后碲化处理的高功率因子Bi₂Se₃薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于热电薄膜材料技术领域，具体公开了一种基于后碲化处理的高功率因子Bi2Se3薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、制备靶材；S2、放置基片与靶材；S3、调节真空度；S4、薄膜沉积，得到Bi2Se3薄膜前驱体；S5、后碲化处理，得到Bi2Se3‑xTey热电薄膜。本发明采用上述一种基于后碲化处理的高功率因子Bi2Se3薄膜的制备方法，制备工艺简单、可重复性好，得到的Bi2Se3‑xTey热电薄膜室温功率因子高达20.74μW·cm‑1K‑1，该薄膜在可穿戴设备自供电等领域具有广阔应用前景。

本发明授权一种基于后碲化处理的高功率因子Bi₂Se₃薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于后碲化处理的高功率因子Bi2Se3薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、制备靶材：按比例，将Bi颗粒和Se颗粒混合均匀后进行封管处理，熔融烧结得到铸锭，将铸锭粉碎后采用等离子放电烧结技术压制，获得Bi2Se3多晶靶材； S2、放置基片与靶材：将S1得到的Bi2Se3多晶靶材放置在PLD系统腔室的溅射靶位，同时将超声清洗的基片固定在样品托盘中心，调整基片与Bi2Se3多晶靶材之间的距离为5-10cm； S3、调节真空度：将PLD系统腔室内的真空度抽至等于或小于4×10-4Pa后充入高纯氩气，通过控制气体流量大小，使氩气动态平衡气压保持稳定； S4、薄膜沉积：调整沉积温度、激光能量密度和激光频率，对Bi2Se3多晶靶材进行预溅射，得到去除表面杂质的Bi2Se3多晶靶材，然后打开基片挡板，沉积得到Bi2Se3薄膜前驱体； S5、后碲化处理：按比例，将S7得到的Bi2Se3薄膜前驱体与Te颗粒进行真空封管处理，然后加热5-120min，待冷却后取出，得Bi2Se3-xTey热电薄膜。

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