麦斯克电子材料股份有限公司范吉祥获国家专利权
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龙图腾网获悉麦斯克电子材料股份有限公司申请的专利一种基于单晶硅抛光片的导流筒金属含量预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120105764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510597642.2，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种基于单晶硅抛光片的导流筒金属含量预测方法是由范吉祥;郭可;马武详;马三宝;梅昊天设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于单晶硅抛光片的导流筒金属含量预测方法在说明书摘要公布了：一种基于单晶硅抛光片的导流筒金属含量预测方法，涉及金属含量预测领域，该方法包括以下步骤：S1，采用待测导流筒拉制待测单晶硅棒，将待测单晶硅棒加工为待测抛光片，检测待测抛光片的直径从而计算出待测抛光片与导流筒之间的距离参数；S2，检测待测单晶硅抛光片的金属含量；S3，通过导流筒预测模型预测待测导流筒的金属含量。本发明利用单晶硅抛光片对金属含量的高敏感度，通过单晶硅抛光片的金属含量精确推算导流筒的金属含量，实现了对导流筒的无损检测，确保检测结果精准可靠。
本发明授权一种基于单晶硅抛光片的导流筒金属含量预测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于单晶硅抛光片的导流筒金属含量预测方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，采用待测导流筒拉制待测单晶硅棒，将待测单晶硅棒加工为待测单晶硅抛光片，检测待测单晶硅抛光片的直径并计算待测单晶硅抛光片和待测导流筒之间的距离参数； S2，检测待测单晶硅抛光片的金属含量； S3，通过导流筒预测模型预测待测导流筒的金属含量； 其中，待预测的金属含量为铁含量，导流筒预测模型为G=1.23+0.264*L-0.0983*H+0.0866*L*H，G为待测导流筒的金属含量，L为待测单晶硅抛光片与待测导流筒之间的距离参数，H为待测单晶硅抛光片的金属含量。
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