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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种多波段LED芯片及其制备方法、白光LED光源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120201825B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510677673.9，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种多波段LED芯片及其制备方法、白光LED光源是由舒俊;高虹;郑文杰;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2025-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多波段LED芯片及其制备方法、白光LED光源在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种多波段LED芯片及其制备方法、白光LED光源，LED芯片包括发光层，发光层包括沿外延方向依次层叠的第一青光多量子阱层、第二长波蓝光多量子阱层、第三短波蓝光多量子阱层及第四紫光多量子阱层；第一青光多量子阱层至第四紫光多量子阱层均为由阱层与垒层交替层叠而成的周期性结构，且第一青光多量子阱层、第二长波蓝光多量子阱层、第三短波蓝光多量子阱层及第四紫光多量子阱层的发光波长依次递减，垒层的禁带宽度依次递减。本发明的LED芯片能够有效提高整体的激发效率，输出的全光谱白光LED光源显色指数更高，稳定性更佳，对人眼损伤更少，且发光效率高。

本发明授权一种多波段LED芯片及其制备方法、白光LED光源在权利要求书中公布了：1.一种多波段LED芯片，包括衬底及设于所述衬底上的外延层，其特征在于，所述外延层包括沿外延方向依次设置的缓冲层、N型层、发光层、电子阻挡层及P型层； 所述发光层包括沿外延方向依次层叠的第一青光多量子阱层、第二长波蓝光多量子阱层、第三短波蓝光多量子阱层及第四紫光多量子阱层； 所述第一青光多量子阱层、所述第二长波蓝光多量子阱层、所述第三短波蓝光多量子阱层及所述第四紫光多量子阱层均为由阱层与垒层交替层叠而成的周期性结构， 所述第一青光多量子阱层、所述第二长波蓝光多量子阱层、所述第三短波蓝光多量子阱层及所述第四紫光多量子阱层的发光波长依次递减， 所述第一青光多量子阱层、所述第二长波蓝光多量子阱层、所述第三短波蓝光多量子阱层及所述第四紫光多量子阱层的所述垒层的禁带宽度依次递减； 所述第一青光多量子阱层的发光波长为492nm、495nm、498nm或500nm，所述第二长波蓝光多量子阱层的发光波长为460nm~480nm，所述第三短波蓝光多量子阱层的发光波长为445nm~460nm，所述第四紫光多量子阱层的发光波长为430nm~445nm； 各个所述垒层均包括沿外延方向依次层叠的掺Si的前GaN层、未故意掺杂Si的AlGaN层及掺Si的后GaN层， 且所述第一青光多量子阱层、所述第二长波蓝光多量子阱层、所述第三短波蓝光多量子阱层及所述第四紫光多量子阱层的所述未故意掺杂Si的AlGaN层的Al组分含量依次递减，单个所述垒层的总厚度依次递减。

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