邯郸中建材光电材料有限公司宇伟渊获国家专利权
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龙图腾网获悉邯郸中建材光电材料有限公司申请的专利CdTe基高效叠层太阳能电池结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120282646B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510764000.7，技术领域涉及：H10K39/15；该发明授权CdTe基高效叠层太阳能电池结构及其制备方法是由宇伟渊;邵传兵;吴一民;殷新建;王昕;郭秀斌设计研发完成，并于2025-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本CdTe基高效叠层太阳能电池结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池技术领域，公开一种CdTe基高效叠层太阳能电池结构及其制备方法，电池结构包括基板，于基板上形成第一透明导电层，于第一透明导电层上形成缓冲层，于缓冲层上形成第一光吸收层，于第一光吸收层上形成背接触层，得到碲化镉子电池；于背接触层上形成第二透明导电层，于第二透明导电层上形成空穴传输层，于空穴传输层上形成第二光吸收层，得到钙钛矿子电池。本申请TCO层通过氮离子注入优化SnO2能带，第一光吸收层梯度掺杂Cl和As提升载流子寿命，实现单结效率＞23%、叠层效率＞31%。本发明全干法工艺适配玻璃基板工业化生产，适用于高可靠性场景。
本发明授权CdTe基高效叠层太阳能电池结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种CdTe基高效叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，于基板上制备得到碲化镉子电池，于碲化镉子电池上制备得到钙钛矿子电池，具体包括以下步骤： S1、提供基板，对基板进行预处理； S2、于基板上采用磁控溅射工艺沉积FTO层，之后氮离子注入优化SnO2能带，形成第一透明导电层； S3、于第一透明导电层上采用近空间升华法生长CdSe，形成缓冲层； S4、于缓冲层上采用近空间升华法沉积CdTe，沿生长方向梯度掺杂Cl：5×1018→1×1017cm-3、As：1×1017cm-3，形成第一光吸收层； S5、于第一光吸收层上采用磁控溅射工艺沉积ZnTe:Cu，经激光退火处理，形成背接触层； S6、于背接触层上采用磁控溅射工艺沉积SnO2:Sb，形成第二透明导电层； S7、于第二透明导电层上采用反应溅射工艺沉积CuCrO2:Mg，形成空穴传输层； S8、于空穴传输层上采用分子束外延工艺沉积钙钛矿，同步注入PFDA蒸汽钝化，形成第二光吸收层。
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