南昌大学莫乔铃获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌大学申请的专利一种原位还原构建高效界面电荷转移异质结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120346846B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510812219.X，技术领域涉及：B01J35/39；该发明授权一种原位还原构建高效界面电荷转移异质结构的制备方法是由莫乔铃;郭岚;金玲设计研发完成，并于2025-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种原位还原构建高效界面电荷转移异质结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光催化材料技术领域，公开了一种原位还原构建高效界面电荷转移异质结构的制备方法。首先利用水热法合成金属硫化物纳米片阵列，然后利用非共轭聚合物（支化聚乙烯亚胺）在金属硫化物表面原位构筑金属纳米晶，实现了在室温下制备高效界面电荷转移的金属‑硫化物异质结构，该异质结构在模拟太阳光（AM1.5G）照射下具有明显区别于单一组分金属硫化物的还原性和稳定性，整个制备过程工艺简单，绿色环保。
本发明授权一种原位还原构建高效界面电荷转移异质结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种原位还原构建高效界面电荷转移异质结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： （1）In2S3纳米片阵列基底的制备：将FTO导电玻璃清洗后置于In2S3纳米片前驱体溶液中，进行水热反应，反应完成后冷却，取出基底，冲洗，干燥，得到In2S3纳米片阵列基底； （2）In2S3@bPEI材料的制备：将步骤（1）制得的In2S3纳米片阵列基底浸入pH为9~11、浓度为2~8mgmL的支化聚乙烯亚胺溶液中，在60~80℃下反应，反应完成后取出，冲洗，干燥，得In2S3@bPEI材料； （3）In2S3@bPEI@M异质结构的制备：将步骤（2）制得的In2S3@bPEI材料浸入含金属M的溶液中进行还原反应，反应完成后取出，冲洗，干燥，得In2S3@bPEI@M异质结构；金属M为Au、Pd中的任意一种； 步骤（2）中，支化聚乙烯亚胺的结构式为： ，n=40~60。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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