买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉成都森未科技有限公司申请的专利超结IGBT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120343935B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510820431.0，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权超结IGBT器件及其制备方法是由王思亮;李睿;马克强;胡敏设计研发完成，并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本超结IGBT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种超结IGBT器件及其制备方法；该超结IGBT器件，包括：依次设置的集电层、缓冲层、耐压层、以及顶部复合结构；顶部复合结构包括顶部基层和栅极结构，顶部基层具有沟槽，栅极结构形成于沟槽内；其中，耐压层包括交替分布的第一耐压区和第二耐压区，且第二耐压区和第一耐压区形成插指状分布。该超结IGBT器件中的第二耐压区和第一耐压区形成插指状分布，在器件关断的过程中，能够利用呈插指状分布的第二耐压区和第一耐压区，有效地增加载流子抽取路径的电阻，以降低器件关断阶段的电流下降速度，从而抑制关断电压尖峰，并改善器件发生过压击穿而失效的问题。

本发明授权超结IGBT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超结IGBT器件，其特征在于，包括：依次设置的集电层（10）、缓冲层（20）、耐压层、以及顶部复合结构； 所述顶部复合结构包括顶部基层和栅极结构（5），所述顶部基层具有沟槽，所述栅极结构（5）形成于所述沟槽内；其中， 所述耐压层包括交替分布的第一耐压区（30）和第二耐压区（31），且所述第二耐压区（31）和所述第一耐压区（30）形成插指状分布； 所述第一耐压区（30）包括多个第一长指（301）和多个第一短指（302），所述第二耐压区（31）包括多个第二长指（311）和多个第二短指（312）；沿第一方向，多个所述第二长指（311）和多个所述第二短指（312）依次交替排布，且多个所述第一长指（301）和多个所述第一短指（302）依次交替排布；沿第二方向，多个所述第二长指（311）与多个所述第一短指（302）一一对应地排布，且多个所述第二短指（312）与多个所述第一长指（301）一一对应地排布；其中，所述第一方向与所述第二方向呈夹角分布，且所述集电层（10）、所述缓冲层（20）、所述耐压层、以及所述顶部复合结构沿所述第一方向依次排布； 其中，沿所述第一方向，所述第二耐压区（31）的两端均为所述第二短指（312），且其中一个设置于所述缓冲层（20），另一个用于设置所述顶部基层； 沿所述第一方向，所述第一耐压区（30）的两端均为所述第一长指（301），且其中一个设置于所述缓冲层（20），另一个用于设置所述顶部基层； 所述顶部基层包括载流子存储区（32）、第二基区（42）、以及第一基区（41）和源区（40）；其中，所述载流子存储区（32）和所述第二基区（42）依次设置于所述耐压层背离所述缓冲层（20）的一侧，第一基区（41）和源区（40）设置于所述第二基区（42）背离所述载流子存储区（32）的一侧，所述源区（40）与所述栅极结构（5）相邻。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都森未科技有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市郫都区西源大道2808号2栋2层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。