北京大学蔡一茂获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利三维存储阵列及其制作方法、存算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120379268B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510846876.6，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维存储阵列及其制作方法、存算方法是由蔡一茂;陈雨杰;王宗巍;罗天阳设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储阵列及其制作方法、存算方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种三维存储阵列及其制作方法、存算方法，涉及集成电路领域。三维存储阵列通过设置多条独立的上选通线，将三维存储阵列分成多个能够独立操作的子存储块，每个子存储块与其他子存储块并行操作或独立操作，可以根据应用需求对各子存储块分配存储任务和或计算任务，能够提高三维存储阵列的操作灵活性和利用率，改善了三维存储阵列进行读取操作时大量晶体管处于闲置状态的问题，能够提高三维存储阵列的利用率，降低冗余浪费；在操作其中一个子存储块时，其他子存储块可以同时进行存储或计算操作，提高了三维存储阵列的并行处理能力，能够大幅提高三维存储阵列的计算速度和效率。
本发明授权三维存储阵列及其制作方法、存算方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储阵列，其特征在于，包括： 多个存储串，所述存储串包括沿第一方向依次串联的多个存储晶体管以及上选通管； 多条字线，所述字线沿所述第一方向间隔排列，每条所述字线与同层设置的所述存储晶体管的控制栅连接； 多条位线，所述位线沿第二方向延伸、沿第三方向间隔排列，所述位线与沿所述第二方向排列的所述上选通管连接；所述第二方向与所述第三方向相交，所述第一方向垂直于所述第二方向、所述第三方向所在平面； 多条上选通线，所述上选通线间隔设置，每条所述上选通线与至少一个所述上选通管的控制栅连接，每条所述上选通线连接的所述存储串构成一个子存储块，多条所述上选通线将多个所述存储串划分成多个独立的所述子存储块，所述子存储块沿所述第二方向、所述第三方向排列，每个所述子存储块与其他所述子存储块并行操作或独立操作； 多个所述子存储块包括至少两个能够并行操作的所述子存储块，至少两个能够并行操作的所述子存储块连接不同的所述上选通线、连接不同的所述位线。
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