买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京七星华创微电子有限责任公司申请的专利一种陶瓷基薄膜电路产品的集成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120376471B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510840015.7，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种陶瓷基薄膜电路产品的集成方法是由任凯;刘炯;孟乔峰设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种陶瓷基薄膜电路产品的集成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体处理技术领域，具体涉及一种陶瓷基薄膜电路产品的集成方法，该方法包括：获取刻蚀矩阵；获取各行数据的分形维数序列，构建异常指数；将各行数据转换为频域信号，进行分区式分析，构建局部异质评估参数；对不同种类的各时刻的数据的协同变化进行分析构建局部一致性参数，结合相似性构建协同因子；对PID控制的微分系数进行改进；实现对离子束能量的调控。本发明旨在克服电镀薄膜表面的异质性和参数的连锁变化而产生的震荡和不稳定，提高离子束能量的调控精确度，保障新型陶瓷基薄膜电路产品的集成质量。

本发明授权一种陶瓷基薄膜电路产品的集成方法在权利要求书中公布了：1.一种陶瓷基薄膜电路产品的集成方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 获取各种类的刻蚀数据，将各种类的刻蚀数据作为刻蚀矩阵的各行； 采用去趋势波动分析获取刻蚀矩阵中各行数据的分形维数序列；对各行数据的分形维数序列的元素分布特征进行分析，结合突变点检测算法，分析突变点数据局部范围内到的数据趋势，获取各行数据的异常指数；获取各行数据的频域信号，基于各行数据的频域信号中频率分布范围以及幅值大小的变化，确定各行数据的稳定性参数，结合所述异常指数，得到各行数据的局部异质评估参数； 以刻蚀矩阵每行数据中的各数据为中心，预设窗口初始长度，以预设步长向两端均匀增大，根据刻蚀矩阵任意两行数据中每个数据对应窗口增大后，窗口内数据变化的一致性，确定所述任意两行数据之间的局部一致性参数；综合不同行数据之间的分布相似程度、局部一致性参数以及局部异质评估参数，确定刻蚀矩阵的协同因子； 根据刻蚀矩阵的协同因子对PID控制的微分系数进行改进；结合改进后的PID控制的微分系数对电镀薄膜表面进行刻蚀，通过薄膜混合集成的方式，完成半导体芯片的引线键合。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京七星华创微电子有限责任公司，其通讯地址为：101200 北京市平谷区马坊镇马坊大街32号院5号楼1至5层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。