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龙图腾网获悉深圳市威兆半导体股份有限公司申请的专利氮化镓功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120379296B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510858848.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权氮化镓功率器件及其制备方法是由林育赐;李伟聪;姜春亮;梁志锦设计研发完成，并于2025-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化镓功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种氮化镓功率器件及其制备方法，包括：在P+衬底上生长形成氮化镓外延结构层；在氮化镓外延结构层上生长形成P型氮化镓层；在P型氮化镓层上形成P型氮化镓栅极区；在设定气体环境下对P型氮化镓栅极区进行钝化处理，形成功能高阻区，功能高阻区分布在P型氮化镓栅极区的侧壁上，以及部分的与侧壁相连的P型氮化镓栅极区的顶面上；在氮化镓外延结构层上沉积形成第一欧姆接触金属层和第二欧姆接触金属层；在氮化镓外延结构层上沉积形成钝化介质层，刻蚀P型氮化镓栅极区上的钝化介质层后，在P型氮化镓栅极区上沉积形成栅极金属层。本申请优化器件功耗及提高器件可靠性。

本发明授权氮化镓功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓功率器件制备方法，其特征在于，包括： 提供一高掺杂的P+衬底，在所述P+衬底上生长形成氮化镓外延结构层； 在所述氮化镓外延结构层上生长形成P型氮化镓层； 在所述P型氮化镓层上设定栅极区域后，刻蚀所述P型氮化镓层的非栅极区域，形成P型氮化镓栅极区； 在所述P型氮化镓栅极区的顶面的中心区域形成功能掩膜，采用氢气对所述P型氮化镓栅极区进行钝化处理，以在所述P型氮化镓栅极区的非所述功能掩膜覆盖区域形成功能高阻区，其中，所述功能高阻区包括第一高阻区及第二高阻区，所述第二高阻区对称分布在所述P型氮化镓栅极区的侧壁上，所述第一高阻区对称分布在所述P型氮化镓栅极区的部分的与所述侧壁相连的顶面中，以及，设定所述P型氮化镓栅极区的厚度为H1，所述P型氮化镓栅极区的宽度为W1，所述第一高阻区的厚度为H2，所述第一高阻区的宽度为W2，则：H2＜110H1，W2＜15W1； 在所述氮化镓外延结构层上沉积形成与所述P型氮化镓栅极区间隔设置的第一欧姆接触金属层和第二欧姆接触金属层； 在所述氮化镓外延结构层上沉积形成钝化介质层，刻蚀所述P型氮化镓栅极区上的所述钝化介质层后，在所述P型氮化镓栅极区上沉积形成栅极金属层。

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