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成都立扬信息技术有限公司吴一航获国家专利权

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龙图腾网获悉成都立扬信息技术有限公司申请的专利宽角扫描液晶相控阵设计方法、设备及存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120373242B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510865214.3,技术领域涉及:G06F30/367;该发明授权宽角扫描液晶相控阵设计方法、设备及存储介质是由吴一航;王洪波设计研发完成,并于2025-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

宽角扫描液晶相控阵设计方法、设备及存储介质在说明书摘要公布了:本发明公开宽角扫描液晶相控阵设计方法、设备及存储介质,涉及天线脉冲技术领域,依据半球形阵列视场角扩展约束及双频段电磁特性矩阵,计算阵列单元分布密度与曲面曲率目标参数,生成不同曲率半径的三维阵列模型导入参数计算阵列曲率半径,建立石墨烯超表面参数集合和液晶层参数集合,生成不同单元间距的阵列模型,拟合计算获取单元间距集合,利用单元间距集合和曲面曲率目标参数生成阵列模型,拟合计算波束扫描范围,获取扫描范围集合,根据扫描范围集合和分布密度目标参数计算阵列单元的最优排列方式和数量,并确定多物理场调控模块的安装点位形成集成结构,该方法解决在宽角扫描时难以兼顾双频段特性、参数确定不精准及多物理场调控集成度低的问题。

本发明授权宽角扫描液晶相控阵设计方法、设备及存储介质在权利要求书中公布了:1.宽角扫描液晶相控阵设计方法,其特征在于,包括以下步骤: 根据半球形阵列视场角扩展约束条件和双频段电磁特性矩阵,计算阵列单元的分布密度目标参数和曲面曲率目标参数; 生成若干具有不同曲率半径的三维阵列模型,分别向各所述模型中导入曲面曲率目标参数和视场角约束条件,计算阵列的曲率半径; 建立石墨烯超表面参数集合和液晶层参数集合 根据所述石墨烯超表面参数集合和液晶层参数集合生成若干具有不同单元间距的阵列模型,向各所述模型中导入双频段隔离度目标参数和调控效率约束条件,拟合计算获取单元间距集合; 根据所述单元间距集合和所述曲面曲率目标参数生成若干阵列模型,拟合计算波束扫描范围,获取扫描范围集合; 根据所述扫描范围集合和所述分布密度目标参数计算阵列单元的最优排列方式和数量; 根据所述最优排列方式和数量确定多物理场调控模块的安装点位,其中所述调控模块与阵列单元形成集成结构; 所述计算阵列单元的分布密度目标参数和曲面曲率目标参数,包括以下步骤: 构建不同频率下的双频段电磁特性矩阵; 绘制所述电磁特性矩阵分别关于太赫兹频段和微波频段的辐射方向图; 结合视场角约束条件,分别拟合所述辐射方向图在±120°范围内的增益变化曲线; 根据柔性基板的力学性能极限,计算可实现的最小曲率半径; 设定冗余系数,根据所述冗余系数、所述最小曲率半径和所述增益变化曲线的斜率,计算分布密度目标参数和曲面曲率目标参数; 所述计算阵列的曲率半径包括以下步骤: 获取目标视场角范围; 为阵列单元尺寸和间距赋予定值,为曲率半径赋予若干值; 根据所述单元尺寸、间距和若干曲率半径分别生成若干三维阵列模型; 结合所述目标视场角范围对各所述模型进行电磁仿真,获取若干辐射方向图; 根据各所述辐射方向图和所述曲面曲率目标参数,建立视场角覆盖率与曲率半径的关系曲线,计算所述关系曲线的斜率; 根据所述斜率和所述目标参数计算最优曲率半径。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人成都立扬信息技术有限公司,其通讯地址为:610000 四川省成都市高新区新达路16号4号楼606号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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