买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉陕西欣宇材料科技有限公司申请的专利一种用于晶体生长设备的晶体生长检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120403777B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510873168.1，技术领域涉及：G01D21/02；该发明授权一种用于晶体生长设备的晶体生长检测方法及系统是由杨辉设计研发完成，并于2025-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于晶体生长设备的晶体生长检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种用于晶体生长设备的晶体生长检测方法及系统。本发明首先在每个检测时刻下，确定的熔体流动向量，然后根据轮廓图像中的晶体轮廓确定晶体生长过程中的异常沉积方向，并获取异常沉积向量，进一步结合相邻上一检测时刻的轮廓图像中的晶体轮廓及XRD图谱中的晶体衍射峰，调控晶体生长炉内的磁场。本发明通过分析晶体生长炉内的熔体浓度分布及晶体截面轮廓的形态偏移情况，以进行晶体生长检测，评估晶体生长过程中所受异常对流影响，并结合晶体轮廓及晶体衍射峰确定如何施加干预磁场来抑制影响，从而提高晶体生长质量。

本发明授权一种用于晶体生长设备的晶体生长检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种用于晶体生长设备的晶体生长检测方法，其特征在于，所述方法包括： 在每个检测时刻，获取晶体生长炉内每个测点处的熔体浓度，以及晶体界面的轮廓图像与XRD图谱，所述轮廓图像的主视角与晶体提升方向平行； 根据每个检测时刻下不同测点处的所述熔体浓度的差异，及每个测点处的所述熔体浓度在相邻检测时刻之间的变化，确定每个检测时刻下的熔体流动向量；在每个检测时刻，根据所述轮廓图像中的晶体轮廓，确定晶体生长过程中的异常沉积方向，并结合所述异常沉积方向上晶体轮廓位置处的熔体浓度之间的差异，获取异常沉积向量； 在每个检测时刻，根据所述异常沉积向量及所述熔体流动向量，结合相邻上一检测时刻的所述轮廓图像中的晶体轮廓及所述XRD图谱中的晶体衍射峰，调控晶体生长炉内的磁场； 所述异常沉积方向的确定方法包括： 根据所述轮廓图像中的晶体轮廓与预设标准生长轮廓之间的差异，确定所述轮廓图像中晶体的最大凸出向量与最大凹陷向量；将最大凸出向量与最大凹陷向量的和对应向量的方向，作为异常沉积方向；其中，不同检测时刻下的预设标准生长轮廓不同； 调控晶体生长炉内的磁场的方法包括： 在每个检测时刻，将所述异常沉积向量与所述熔体流动向量的差作为异常对流向量，将所述异常对流向量的向量方向的反方向作为磁场调控方向，并根据所述异常对流向量的模长确定调控权重，利用所述调控权重对预设磁场强度加权，得到磁场调控强度； 在每个检测时刻，根据所述轮廓图像中的晶体轮廓所围成区域与预设标准生长轮廓所围成区域之间的重合度，以及所述XRD图谱中的晶体衍射峰的宽度相对预设标准宽度的偏差，获取晶体生长质量参数；以任一检测时刻为目标时刻，以目标时刻的相邻上一检测时刻为参考时刻；将目标时刻与参考时刻对应所述晶体生长质量参数之间的变化率，作为参考时刻的磁场调控效果参数； 若所述磁场调控效果参数大于或等于0，基于参考时刻的磁场调控方向及磁场调控强度调控晶体生长炉内的磁场；若所述磁场调控效果参数小于0，基于目标时刻的磁场调控方向及磁场调控强度调控晶体生长炉内的磁场。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人陕西欣宇材料科技有限公司，其通讯地址为：710523 陕西省西安市蓝田县华胥镇西北家具工业园新港三路付9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。