上海新微技术研发中心有限公司冯俊伟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利一种芯片热回收器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120432454B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510927094.5，技术领域涉及：H01L23/38；该发明授权一种芯片热回收器件及其制备方法是由冯俊伟;许贞设计研发完成，并于2025-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片热回收器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种芯片热回收器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该芯片热回收器件包括依次堆叠设置于芯片背面的导热层、热电材料层、PN结阵列层和输出层，其中，所述导热层用于将所述芯片的热量传导至所述热电材料层，所述热电材料层用于将热量转换为电能，所述PN结阵列层包括多个电隔离的垂直PN结单元，每一所述垂直PN结单元用于在所述热电材料层的电能作用下导通，所述输出层包括与每一所述垂直PN结单元连接且互相电隔离的导电单元，所述导电单元用于输出每一所述垂直PN结单元的电流。本申请的芯片热回收器件是一种无源热回收器件，能够实现芯片热量的有效回收利用。
本发明授权一种芯片热回收器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片热回收器件，其特征在于，包括依次堆叠设置于芯片背面的导热层、热电材料层、PN结阵列层和输出层，其中，所述导热层用于将所述芯片的热量传导至所述热电材料层，所述热电材料层用于将热量转换为电能，所述PN结阵列层包括多个电隔离的垂直PN结单元，每一所述垂直PN结单元用于在所述热电材料层的电能作用下导通，所述输出层包括与每一所述垂直PN结单元连接且互相电隔离的导电单元，所述导电单元用于输出每一所述垂直PN结单元的电流。
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