杭州电子科技大学石春景获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种新型非直微细孔道内表面光磁耦合抛光装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120422084B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510947610.0，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种新型非直微细孔道内表面光磁耦合抛光装置及方法是由石春景;吴鹏程;杨锦垚;刘寒雨;王芝徽;孟凡宁;杨颖设计研发完成，并于2025-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型非直微细孔道内表面光磁耦合抛光装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种新型非直微细孔道内表面光磁耦合抛光装置，涉及超精密加工技术领域，包括主体框架和安装在主体框架内部的2个磁场发生器、储液池、抛光液加速单元，待抛光工件安装在磁场发生器之间的安装架上，磁场发生器还连接有滚动装置，抛光液加速单元的一端与工件相连，另一端与储液池相连，储液池的输出端与抛光液加速单元之间还设置有光激发装置，待抛光工件的另一端与储液池相连，储液池中存储的抛光液包括磨料和磁流体，加工过程中，通过滚动装置的动作，调整磁场发生器的磁场。本发明通过电磁驱动机制，结合光化学的强化效应，使被抛光工件内孔道Ra3μm，显著降低生产成本，满足环形微细管路内表面抛光的高标准需求。
本发明授权一种新型非直微细孔道内表面光磁耦合抛光装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种新型非直微细孔道内表面光磁耦合抛光装置，其特征在于，包括主体框架和安装在主体框架内部的第一磁场发生器、第二磁场发生器、储液池、抛光液加速单元，待抛光工件安装在第一磁场发生器、第二磁场发生器之间的安装架上，其中的第一磁场发生器还连接有滚动装置，所述抛光液加速单元的一端与工件相连，另一端与储液池相连，所述储液池的输出端与抛光液加速单元之间还设置有光激发装置，待抛光工件的另一端与储液池相连，所述储液池中存储的抛光液包括磨料和磁流体，加工过程中，通过滚动装置的动作，调整第一磁场发生器的磁场； 所述第一磁场发生器用于提供一个可控的磁场向心力，来控制抛光液做可控的圆周运动；第二磁场发生器用于对工件抛光区域提供一个可控的横向磁场。
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