重庆云潼科技有限公司廖光朝获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利一种功率基板、功率模块及功率基板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120453249B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510967363.0，技术领域涉及：H01L23/373；该发明授权一种功率基板、功率模块及功率基板的制备方法是由廖光朝;王友强;王炳琨;刘继平设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率基板、功率模块及功率基板的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率基板、功率模块及功率基板的制备方法，应用于功率器件技术领域，第一金属层位于绝缘层的底面并沿绝缘层的至少一个侧面包覆至绝缘层顶面的第一区域，第二金属层位于绝缘层顶面的第二区域，在绝缘层的顶面第一金属层与第二金属层相互隔离；绝缘层包括与待键合的功率芯片中衬底材质相同的主体层，主体层至少在顶面的第二区域设置有绝缘膜层，第二金属层通过绝缘膜层与主体层隔离。通过在设置主体层与待键合的功率芯片中衬底材质相同，可以保证绝缘层与功率芯片的热膨胀系数大体相同，使得绝缘层可以设置为一个平板。而通过设置包覆绝缘层的第一金属层，其可以增加整个绝缘层的结构强度，保证功率基板满足所需的结构性能。
本发明授权一种功率基板、功率模块及功率基板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率基板，其特征在于，包括：第一金属层、绝缘层和第二金属层； 所述绝缘层包括朝向功率芯片的顶面和远离所述功率芯片的底面，所述第一金属层位于所述绝缘层的底面并沿所述绝缘层的至少一个侧面包覆至所述绝缘层顶面的第一区域，所述第二金属层位于所述绝缘层顶面的第二区域，在所述绝缘层的顶面所述第一金属层与所述第二金属层相互隔离； 所述绝缘层包括与待键合的功率芯片中衬底材质相同的主体层，所述主体层至少在所述顶面的第二区域设置有绝缘膜层，所述第二金属层通过所述绝缘膜层与所述主体层隔离。
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