重庆联晶通半导体科技有限公司蔡明达获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆联晶通半导体科技有限公司申请的专利一种GaN器件电流崩溃抑制方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120448162B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510962197.5，技术领域涉及：G06F11/00；该发明授权一种GaN器件电流崩溃抑制方法和系统是由蔡明达设计研发完成，并于2025-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN器件电流崩溃抑制方法和系统在说明书摘要公布了：本发明涉及电子技术领域，具体是一种GaN器件电流崩溃抑制方法和系统。该方法包括：获取GaN器件的实时监测数据；构建风险等级预测模型，并将所述实时监测数据输入所述风险等级预测模型得到风险等级；构建参数补偿预测模型，基于所述风险等级将所述实时监测数据输入所述参数补偿预测模型得到补偿参数；基于所述补偿参数对所述GaN器件下一个开关周期的栅压斜率、栅压阶跃幅值和死区时间进行调整。本发明解决了现有技术中抑制氮化镓器件电流崩溃的方式单一，器件负载过大的问题，通过风险等级预判，在非高风险情况下避免一刀切的调节方式，而是采用更为温和的渐变式栅压调节方式，可以减少电磁干扰、降低开关损耗、抑制电流尖峰，提高了GaN器件的可靠性。
本发明授权一种GaN器件电流崩溃抑制方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种GaN器件电流崩溃抑制方法，其特征在于，所述方法包括： 获取GaN器件的实时监测数据； 构建风险等级预测模型，并将所述实时监测数据输入所述风险等级预测模型得到风险等级； 构建参数补偿预测模型，基于所述风险等级为中风险将所述实时监测数据输入所述参数补偿预测模型得到补偿参数； 所述构建风险等级预测模型包括： 获取隧穿激活电压阈值，并利用所述隧穿激活电压阈值设置高漏极电压惩罚项； 获取陷阱激活温度阈值，并利用所述陷阱激活温度阈值设置高温惩罚项； 利用所述高漏极电压惩罚项和所述高温惩罚项设置综合损失函数； 基于多项式逻辑回归利用所述综合损失函数构建风险等级预测模型； 基于所述补偿参数对所述GaN器件下一个开关周期的栅压斜率、栅压阶跃幅值和死区时间进行调整。
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