复旦大学张卫获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利基于半浮栅的像素器件及其制造方法、图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120475792B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510976307.3，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权基于半浮栅的像素器件及其制造方法、图像传感器是由张卫;徐航;杨雅芬;孙清清;郭剑斌设计研发完成，并于2025-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于半浮栅的像素器件及其制造方法、图像传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于半浮栅的像素器件及其制造方法、图像传感器，包括深阱和沟槽晶体管；沟槽晶体管的有源区与深阱紧邻，源极位于有源区的顶部表面，且通过半浮栅与深阱相隔开；漏极位于深阱远离有源区的一侧顶部表面；半浮栅覆盖深阱的部分表面，部分嵌入所述有源区，通过第一氧化层与深阱的侧壁和有源区相隔开。通过深阱作为光电二极管，使得在深阱暴露于光源时载流子产生光电流，空穴被半浮栅收集引起电势发生变化，进而得到光照信息。该像素器件通过单个晶体管即可实现单个像素的全部操作，有效提高了像素感光面积，且该像素器件的制造工艺与标准CMOS技术完全兼容，解决了如何在现有CMOS制造工艺的基础上制造具有强光响应的1T像素器件的问题。
本发明授权基于半浮栅的像素器件及其制造方法、图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于半浮栅的像素器件，其特征在于，包括形成于两个相邻浅槽隔离之间的深阱和沟槽晶体管；所述沟槽晶体管包括有源区、源极、漏极、半浮栅和控制栅；所述有源区与所述深阱紧邻；所述源极位于所述有源区的顶部表面，且通过所述半浮栅与所述深阱相隔开；所述漏极位于所述深阱远离所述有源区的一侧顶部表面；所述半浮栅覆盖所述深阱的部分表面，并部分嵌入所述有源区，且通过第一氧化层与所述深阱的侧壁和所述有源区相隔开；所述半浮栅顶部表面依次形成有第二氧化层和所述控制栅。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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