中国科学院上海技术物理研究所王旭东获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利原子级逐层蒸发制备二维半导体单晶金属接触方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120500072B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510983258.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权原子级逐层蒸发制备二维半导体单晶金属接触方法及应用是由王旭东;柳畅;张莹;伍帅琴;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩;王建禄设计研发完成，并于2025-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本原子级逐层蒸发制备二维半导体单晶金属接触方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了原子级逐层蒸发制备二维半导体单晶金属接触方法及应用，属于二维半导体晶体管接触工程领域，对比传统的连续蒸镀而言，该工艺通过范德华（vdW）外延，在原子级光滑的二维半导体上成功制备单晶金属，用于改善晶体管的金‑半接触，提升晶体管整体性能。该方法采用工业兼容的分步蒸镀工艺，在单层二维半导体（如MoS2或WSe2）上原位沉积铋（Bi）、银（Ag）、铟（In）等单晶金属，利用每步约0.5nm的低剂量和超稳定沉积条件，最大程度地减少“高能”沉积带来的物理损伤，抑制晶粒无序生长，使原子能够自由迁移、均匀成核，并逐层范德华外延成单晶。
本发明授权原子级逐层蒸发制备二维半导体单晶金属接触方法及应用在权利要求书中公布了：1.原子级逐层蒸发制备二维半导体单晶金属接触方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）制备二维半导体衬底：通过化学气相沉积法或机械剥离法在SiSiO2衬底上获得单层或多层二维半导体材料； （2）将所述衬底置于高真空热蒸发腔体中； （3）采用分步蒸发工艺沉积目标金属，每步沉积厚度为0.5nm，每步完成后暂停5分钟以恢复腔体温度和压强至初始稳定状态； （4）重复步骤（3）直至金属层达到目标厚度，形成长程有序的单晶金属薄膜，并与二维半导体形成原子级平整的范德华接触界面。
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