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龙图腾网获悉南京中创电子科技有限公司申请的专利基于微机械加工的曲面薄膜压力传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120489397B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510990578.4，技术领域涉及：G01L1/22；该发明授权基于微机械加工的曲面薄膜压力传感器及其制造方法是由褚益锋;樊君健;施永宁;杨志设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于微机械加工的曲面薄膜压力传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微机械加工技术领域，具体涉及基于微机械加工的曲面薄膜压力传感器及其制造方法，包括硅基座、覆盖于硅基座上方的敏感薄膜结构，以及键合于敏感薄膜结构上方的玻璃盖板，敏感薄膜结构具有非球面轮廓，厚度沿径向呈梯度分布，表面集成有压阻式敏感元件和温度补偿元件；通过采用抛物面或双曲面非球面轮廓，引导应力径向梯度分布，减少边缘集中，提升应力均匀性与灵敏度；敏感薄膜中心薄、边缘厚的梯度厚度结合复合层，增强抗过载能力；双层牺牲层阶梯式刻蚀工艺精确控制曲面精度，提升成型质量；集成压阻桥路、热敏电阻及铂屏蔽层，结合真空封装，抵消热漂移、抑制电磁干扰，稳定真空度，全面提升环境适应性与稳定性。

本发明授权基于微机械加工的曲面薄膜压力传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.基于微机械加工的曲面薄膜压力传感器，其特征在于，包括：硅基座（2）、覆盖于硅基座（2）上方的敏感薄膜结构（3），以及键合于敏感薄膜结构（3）上方的玻璃盖板（1）； 敏感薄膜结构（3）具有非球面轮廓，厚度沿径向呈梯度分布，表面集成有压阻式敏感元件和温度补偿元件； 其中敏感薄膜结构（3）包括有设置于玻璃盖板（1）下方覆盖的抗干扰屏蔽层（304），以及硅基座（2）上方覆盖的埋氧层（303）； 敏感薄膜结构（3）为氮化硅层（301）和多晶硅层（302）复合结构，其中氮化硅层（301）位于多晶硅层（302）上方，厚度占比60%-75%，多晶硅层（302）厚度占比25%-40%； 非球面轮廓为抛物面或双曲面，曲率半径为1-5mm； 多晶硅层（302）内集成P型压阻桥路（3021），压阻条沿曲面主应力方向布置，主应力方向与薄膜径向夹角≤10°； 多晶硅层（302）边缘区域集成N型热敏电阻（3022），与P型压阻桥路（3021）串联形成温度补偿网络。

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