高通股份有限公司梁晴晴获国家专利权
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龙图腾网获悉高通股份有限公司申请的专利双侧接触开关中的电容平衡获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113228253B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980083891.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权双侧接触开关中的电容平衡是由梁晴晴;R·P·K·维杜拉;G·P·埃姆图尔恩;C·N·布里恩德勒;S·格科特佩里设计研发完成，并于2019-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本双侧接触开关中的电容平衡在说明书摘要公布了：一种双侧接触开关具有多栅极有源器件的第一独立漏极源极区域372。该双侧接触开关还具有多栅极有源器件的第一共享漏极源极区域374。双侧接触开关具有多栅极有源器件的第二独立漏极源极区域376，该第二独立漏极源极区域与第一共享漏极源极区域相邻。双侧接触开关还具有多栅极有源器件的第二共享漏极源极区域，该第二共享漏极源极区域与第一独立漏极源极区域相邻。双侧接触开关在第一独立漏极源极区域与第一共享漏极源极区域之间以及在第二独立漏极源极区域与第二共享漏极源极区域之间具有栅极区域356。
本发明授权双侧接触开关中的电容平衡在权利要求书中公布了：1.一种双侧接触开关，包括： 多栅极有源器件的第一独立漏极源极区域； 所述多栅极有源器件的第一共享漏极源极区域； 所述多栅极有源器件的第二独立漏极源极区域，所述第二独立漏极源极区域与所述第一共享漏极源极区域相邻； 所述多栅极有源器件的第二共享漏极源极区域，所述第二共享漏极源极区域与所述第一独立漏极源极区域相邻； 栅极区域，位于所述第一独立漏极源极区域与所述第一共享漏极源极区域之间，并且位于所述第二独立漏极源极区域与所述第二共享漏极源极区域之间； 第一前侧接触，耦合到所述第一独立漏极源极区域； 第一背侧接触，耦合到所述第一共享漏极源极区域； 第二前侧接触，耦合到所述第二独立漏极源极区域；以及 第二背侧接触，耦合到所述第二共享漏极源极区域。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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