中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司黄河获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司申请的专利薄膜体声波谐振器的制造方法及滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114257192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010995761.0，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权薄膜体声波谐振器的制造方法及滤波器是由黄河设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜体声波谐振器的制造方法及滤波器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种薄膜体声波谐振器的制造方法及滤波器，包括：形成第一电极、压电层和第二电极；在第一电极、第二电极至少其中之一上形成贯穿相应电极的环形沟槽；在具有环形沟槽的电极上形成具有拱形桥的电极引出结构；在第一电极上形成支撑层；图形化支撑层，形成贯穿支撑层的第一空腔，电极引出结构的拱形桥位于第一空腔范围内；提供第一衬底，遮盖第一空腔；去除环形牺牲凸起形成环形空隙，环形空隙和环形沟槽相对。本发明通过电极引出结构的环形空隙所在的区域界定有效谐振区的边界，并通过环形沟槽使有效谐振区边界处相应电极的端部与空隙的气体接触，从而达到消除有效谐振区的电极的边界杂波的效果，进而提升谐振器的Q值。
本发明授权薄膜体声波谐振器的制造方法及滤波器在权利要求书中公布了：1.一种薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，包括： 形成第一电极、压电层和第二电极，所述压电层位于所述第一电极和所述第二电极之间； 在所述第一电极、所述第二电极至少其中之一上形成贯穿相应电极的环形沟槽； 在具有所述环形沟槽的电极上形成具有拱形桥的电极引出结构，包括：形成环形牺牲凸起；形成覆盖所述环形牺牲凸起、边缘搭接在有效谐振区电极边缘上的电极引出结构； 在所述第一电极上形成支撑层； 图形化所述支撑层，形成贯穿所述支撑层的第一空腔，所述电极引出结构的拱形桥位于所述第一空腔范围内； 提供第一衬底，所述第一衬底遮盖所述第一空腔； 去除所述环形牺牲凸起形成环形空隙，所述环形空隙和所述环形沟槽相对。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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