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龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利碳化硅半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114600251B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080075352.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权碳化硅半导体装置及其制造方法是由宫原真一朗;辻村理俊;山下侑佑设计研发完成，并于2020-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：具备电场缓和层3，该电场缓和层3包括第2导电型的第1区域3a和第2导电型的第2区域3b，上述第1区域3a形成在比沟槽7深的位置，上述第2区域3b以与沟槽的长度方向相同的方向作为长度方向并在多个沟槽之间分别与沟槽的侧面分离地配置，并且将第1区域和基底区域相连。此外，设为如下结构：通过离子注入构成第1区域和第2区域，并且构成由第1区域和第2区域重叠而得到的二重注入区域3c，在二重注入区域中具有第2杂质浓度的峰值。

本发明授权碳化硅半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于， 具有： 由碳化硅构成的第1导电型或第2导电型的基板； 漂移层，形成在上述基板之上，由与上述基板相比为低杂质浓度的第1导电型的碳化硅构成； 基底区域，形成在上述漂移层之上，由第2导电型的碳化硅构成； 源极区域，形成在上述基底区域的上层部，由与上述漂移层相比为高浓度的第1导电型的碳化硅构成； 接触区域，在上述基底区域的上层部中形成在与上述源极区域不同的位置，由与上述基底区域相比为高浓度的第2导电型的碳化硅构成； 沟槽栅构造，通过在从上述源极区域的表面起形成到比上述基底区域深的位置的以一个方向为长度方向而排列了多个的沟槽内隔着栅极绝缘膜形成有栅极电极，从而构成该沟槽栅构造； 源极电极，与上述源极区域及上述接触区域电连接； 漏极电极，形成在上述基板的背面侧；以及 电场缓和层，配置在上述漂移层内，包括第2导电型的第1区域和第2导电型的第2区域，上述第1区域形成在比上述沟槽深的位置，上述第2区域以与上述沟槽的长度方向相同的方向作为长度方向并在多个上述沟槽之间分别与该沟槽的侧面分离地配置，并且上述第2区域将上述第1区域和上述基底区域相连， 上述第1区域和上述第2区域都由离子注入层构成，上述第1区域和上述第2区域重叠而构成二重注入区域，在该二重注入区域中具有第2杂质浓度的峰值。

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