ASML荷兰有限公司P·W·斯摩奥伦堡获国家专利权
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龙图腾网获悉ASML荷兰有限公司申请的专利用于高效的高次谐波产生的方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114631055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080076314.3，技术领域涉及：G02F1/35；该发明授权用于高效的高次谐波产生的方法和设备是由P·W·斯摩奥伦堡设计研发完成，并于2020-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于高效的高次谐波产生的方法和设备在说明书摘要公布了：披露了一种产生高次谐波辐射的高次谐波辐射源和相关联的方法。所述高次谐波辐射源被配置成通过利用辐射的预脉冲照射所述气体介质来调节所述气体介质，由此产生包括预脉冲等离子体分布的等离子体；以及利用辐射的主脉冲来照射所述气体介质以产生所述高次谐波辐射。所述调节步骤使得包括预脉冲等离子体分布的所述等离子体用于配置所述主脉冲的波前以改善以下各项中的一种或两者：所述高次谐波产生过程的效率，和所述高次谐波辐射的束品质。所述高次谐波辐射源还可以包括束整形装置，所述束整形装置被配置成在所述调节之前对所述定制化预脉冲进行整形。
本发明授权用于高效的高次谐波产生的方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种高次谐波辐射源，包括气体介质并且被配置成： 实施利用辐射的主脉冲来照射所述气体介质以产生高次谐波辐射的高次谐波产生步骤； 在所述高次谐波产生步骤中的辐射的所述主脉冲到达之前，实施利用辐射的预脉冲来照射所述气体介质以产生包括预脉冲等离子体分布的等离子体的调节步骤，通过有意地预电离所述气体介质的某一部分使得产生预电离的相对应的空间分布或图案以抵消由所述主脉冲经受的等离子体散焦效应而进行所述调节步骤， 其中辐射的所述预脉冲在所述调节步骤中被用来调节所述气体介质。
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