三菱电机株式会社田渕慎一获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116325170B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080106313.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由田渕慎一;阿多保夫设计研发完成，并于2020-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明涉及的半导体装置具有：第1导电型的第1半导体层；第2半导体层，其设置于第1半导体层的上表面，呈第1导电型，杂质浓度比第1半导体层低；阱区域，其在有源区域设置于第2半导体层的上表面侧，呈第2导电型；源极区域，其设置于阱区域的上表面侧，呈第1导电型；栅极电极，其设置于高浓度区域和阱区域的正上方，该高浓度区域在末端区域设置于第2半导体层的上表面侧，呈第2导电型，杂质浓度比阱区域高；以及源极电极，其与源极区域及高浓度区域电连接，第1半导体层的杂质浓度大于或等于4×1018cm‑3，厚度大于或等于4μm。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有： 半导体层，其具有形成有MOSFET的有源区域和在俯视观察时将所述有源区域包围的末端区域； 栅极电极，其设置于所述半导体层的上表面； 源极电极，其设置于所述半导体层的上表面；以及 漏极电极，其设置于所述半导体层的与上表面相反侧的面， 所述半导体层具有： 第1导电型的基板； 第1半导体层，其设置于所述基板的上表面，呈所述第1导电型，杂质浓度比所述基板高； 第2半导体层，其设置于所述第1半导体层的上表面，呈所述第1导电型，杂质浓度比所述第1半导体层低； 阱区域，其在所述有源区域设置于所述第2半导体层的上表面侧，呈第2导电型； 源极区域，其设置于所述阱区域的上表面侧，呈所述第1导电型；以及 高浓度区域，其在所述末端区域设置于所述第2半导体层的上表面侧，呈所述第2导电型，杂质浓度比所述阱区域高， 所述栅极电极设置于所述阱区域的正上方， 所述源极电极与所述源极区域及所述高浓度区域电连接， 所述第1半导体层的杂质浓度大于或等于4×1018cm-3，厚度大于或等于4μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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