买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括外延区的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112909074B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011282169.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权包括外延区的半导体器件是由金傔;金东宇;李智惠;金真范;李商文;李承勋设计研发完成，并于2020-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括外延区的半导体器件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底上的有源区；有源区上的沟道区；在有源区上邻近沟道区的源极漏极区；沟道区上与沟道区交叠的栅极结构；源极漏极区上的接触结构；接触结构和栅极结构之间的栅极间隔物；以及围绕接触结构的侧表面的接触间隔物。源极漏极区包括具有凹陷表面的第一外延区、以及第一外延区的凹陷表面上的第二外延区，并且第二外延区包括延伸部，延伸部在水平方向上从在竖直方向上与接触结构交叠的部分延伸，并且在竖直方向上与接触间隔物交叠。

本发明授权包括外延区的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 隔离层，限定半导体衬底上的第一有源区； 所述隔离层上的层间绝缘层； 所述第一有源区上的沟道区； 源极漏极区，在所述第一有源区上，在第一水平方向上邻近所述沟道区； 栅极结构，在所述沟道区上，与所述沟道区交叠并且在与所述第一水平方向垂直的第二水平方向上纵向延伸； 所述源极漏极区上的接触结构； 所述接触结构和所述栅极结构之间的栅极间隔物；以及 接触间隔物，在所述第一水平方向上设置在所述接触结构和所述栅极间隔物之间，并且在所述第二水平方向上设置在所述接触结构和所述层间绝缘层之间， 其中，所述接触间隔物由绝缘材料形成， 其中，所述接触间隔物的下端在比所述栅极间隔物的下端低的高度水平处， 其中，所述接触结构包括金属半导体复合层、以及所述金属半导体复合层上的接触塞， 其中，所述源极漏极区包括：基外延区，在所述基外延区上并具有凹陷表面的第一外延区，以及在所述第一外延区的所述凹陷表面上的第二外延区， 其中，所述基外延区的最上表面在与所述第一外延区的最上表面相同的高度水平处，或者在比所述第一外延区的最上表面高的高度水平处， 其中，所述基外延区的最上表面设置在所述栅极间隔物的下表面以下，与所述栅极间隔物竖直交叠，并且不与所述接触间隔物竖直交叠， 其中，所述第二外延区的上表面与所述金属半导体复合层接触， 其中，所述第二外延区包括：延伸部，在所述第一水平方向上从在竖直方向上与所述接触结构交叠的部分纵向延伸到在所述竖直方向上与所述接触间隔物交叠的部分，并且 其中，所述竖直方向与所述半导体衬底的上表面垂直。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。