台湾积体电路制造股份有限公司陈扬哲获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体测试元件及半导体测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011285345.8，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权半导体测试元件及半导体测试方法是由陈扬哲;周维裕;林振华;陈启平;林汉仲;郑咏世;王智麟;曾皇文;梁其翔;刘醇明设计研发完成，并于2020-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体测试元件及半导体测试方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及半导体测试元件及半导体测试方法。一种半导体测试元件，包含有：半导体衬底、第一内部互连结构、第二内部互连结构、连接金属层、重布层结构、第一端点以及第二端点。所述第一内部互连结构与所述第二内部互连结构设置于所述半导体衬底上，与所述半导体衬底电性隔离。所述连接金属层电性连接所述第一内部互连结构与所述第二内部互连结构，且与所述半导体衬底电性隔离。所述重布层结构与所述第一内部互连结构及所述第二内部互连结构电性连接。所述第一端点与所述第二端点通过所述重布层结构分别与所述第一内部互连结构及所述第二内部互连结构电性连接。
本发明授权半导体测试元件及半导体测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试元件，包含有： 半导体衬底； 第一内部互连结构，设置于所述半导体衬底上，且与所述半导体衬底电性隔离； 第二内部互连结构，设置于所述半导体衬底上，且与所述半导体衬底电性隔离； 连接金属层，电性连接所述第一内部互连结构与所述第二内部互连结构，且所述连接金属层与所述半导体衬底电性隔离； 重布层结构，设置于所述第一内部互连结构与所述第二内部互连结构上，且与所述第一内部互连结构及所述第二内部互连结构电性连接； 第一端点，通过所述重布层结构与所述第一内部互连结构电性连接； 第二端点，通过所述重布层结构与所述第二内部互连结构电性连接；以及 虚设内部互连结构，设置于所述半导体衬底上且与所述半导体衬底电性隔离，其中所述虚设内部互连结构设置于所述第一内部互连结构与所述第二内部互连结构之间且与所述第一内部互连结构及所述第二内部互连结构电性隔离。
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