诺思(天津)微系统有限责任公司庞慰获国家专利权
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龙图腾网获悉诺思(天津)微系统有限责任公司申请的专利带有温补层的声波谐振器和滤波器以及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114629460B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011435645.X，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权带有温补层的声波谐振器和滤波器以及电子设备是由庞慰;郝龙;徐洋;李葱葱设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本带有温补层的声波谐振器和滤波器以及电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种带有温补层的声波谐振器和滤波器以及电子设备，引入电极压电比这样一个参数并给出计算方式，在谐振器的各层的设置使得电极压电比的值符合一定条件时，谐振器能够具备较好的性能。
本发明授权带有温补层的声波谐振器和滤波器以及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种带有温补层的声波谐振器，其特征在于，该声波谐振器的电极压电比大于0.5， 该电极压电比根据如下公式计算： 电极压电比＝e×TB+T2+n×T1T3； 并且： TB＝T5+a×T4+b×T6+c×T7+d×T8； a＝VVa、b＝VVb、c＝VVc、d＝VVd； 其中： T1表示所述声波谐振器的上电极上方介质层的厚度； T2表示所述声波谐振器的上电极的厚度； T3表示所述声波谐振器的压电层的厚度； T4表示所述声波谐振器的中间电极的厚度； T5表示所述声波谐振器的底电极的厚度； T6表示所述声波谐振器的温补层的刻蚀阻挡层的厚度； T7表示所述声波谐振器的温补层的厚度； T8表示所述声波谐振器的种子层的厚度； 所述声波谐振器的中间电极、温补层的刻蚀阻挡层、温补层、种子层各自对谐振器谐振频率的影响速率分别为VanmMHz、VbnmMHz、VcnmMHz、VdnmMHz； 所述底电极对谐振器谐振频率的影响速率为VnmMHz； n＝V2V1，e＝V2V，其中V1表示上电极上方介质层的厚度对谐振器谐振频率的影响速率，V2表示上电极的厚度对谐振器谐振频率的影响速率，单位为nmMHz； 通过选择电极压电比，以调节谐振器性能。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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