台湾积体电路制造股份有限公司刘铭棋获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片及形成晶体管装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112993037B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011439824.0，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权集成芯片及形成晶体管装置的方法是由刘铭棋设计研发完成，并于2020-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片及形成晶体管装置的方法在说明书摘要公布了：在一些实施例中，本公开涉及一种包括栅极介电层、栅极电极、场板介电层及场板的集成芯片。栅极介电层配置在衬底之上及源极区与漏极区之间。栅极电极配置在栅极介电层之上。场板介电层配置在衬底之上及栅极介电层与漏极区之间。场板配置在场板介电层之上且与栅极介电层间隔开。
本发明授权集成芯片及形成晶体管装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成芯片，包括： 栅极介电层，配置在衬底之上以及源极区与漏极区之间； 栅极电极，配置在所述栅极介电层之上； 场板介电层，配置在所述衬底之上以及所述栅极介电层与所述漏极区之间； 场板，配置在所述场板介电层之上； 间隔件结构，环绕所述场板的外侧壁且直接配置在所述场板介电层之上，且与所述栅极电极间隔开；以及 介电间隔件层，环绕所述栅极电极、所述场板与所述间隔件结构，且与所述栅极电极以及所述间隔件结构接触， 其中所述间隔件结构将所述介电间隔件层与所述场板间隔开， 且所述场板介电层与所述栅极介电层间隔开，且所述场板具有配置在所述衬底的最顶表面上方第一高度处的最顶表面，所述栅极电极具有配置在所述衬底的所述最顶表面上方第二高度处的最顶表面，且其中所述第一高度等于所述第二高度， 且所述场板具有配置在所述衬底的所述最顶表面上方第三高度处的最下表面，所述栅极电极具有配置在所述衬底的所述最顶表面上方第四高度处的最下表面，且其中所述第三高度高于所述第四高度。
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