HOYA株式会社田边胜获国家专利权
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龙图腾网获悉HOYA株式会社申请的专利光掩模坯料、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113406855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110265084.1，技术领域涉及：G03F1/26；该发明授权光掩模坯料、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法是由田边胜;浅川敬司;安森顺一设计研发完成，并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本光掩模坯料、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的课题在于，提供一种在对相移膜进行湿法蚀刻时可以缩短过刻蚀时间、抑制基板的损伤、可以形成具有良好的截面形状、LER、且耐化学品性也良好的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，光掩模在透明基板上具有通过对相移膜进行湿法蚀刻而得到的相移膜图案，相移膜由单层或多层构成，并且相对于整体膜厚的50％以上且100％以下包含由含有钼、锆、硅及氮的材料形成的MoZrSi系材料层，MoZrSi系材料层中的钼与锆的原子比率为Mo：Zr＝1.5:1～1:4，硅相对于钼、锆及硅的合计的含有比率为70～88原子％。
本发明授权光掩模坯料、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光掩模坯料，其在透明基板上具有相移膜， 所述光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，该光掩模是在所述透明基板上具有相移膜图案的光掩模，所述相移膜图案是通过对所述相移膜进行湿法蚀刻而得到的， 所述相移膜由单层或多层构成，并且包含相对于该相移膜的整体膜厚的50%以上且100%以下的由含有钼Mo、锆Zr、硅Si及氮的材料形成的MoZrSi系材料层， 所述MoZrSi系材料层中的钼与锆的原子比率为Mo：Zr＝1.5:1~1:4，并且硅相对于钼、锆及硅的合计的含有比率为70~88原子%。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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