嘉兴斯达半导体股份有限公司戴志展获国家专利权
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龙图腾网获悉嘉兴斯达半导体股份有限公司申请的专利一种无引线框架的嵌入式IPM封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112885809B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110263859.1，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权一种无引线框架的嵌入式IPM封装结构是由戴志展;王宇航;李申祥设计研发完成，并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种无引线框架的嵌入式IPM封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无引线框架的嵌入式IPM封装结构，包括IPM封装结构本体，所述IPM封装结构本体主要包括绝缘陶瓷基板及设置在该缘陶瓷基板上的芯片模块，且所述绝缘陶瓷基板的上表面与芯片模块之间包覆设置有一层层压箔，该层压箔对应于芯片模块控制端口、集电极和发射极的位置上分别开设有与对应芯片或缘陶瓷基板连通的通孔，层压箔的上表面设置有一层渗入在通孔内并与芯片模块电性连接的填充铜层，所述填充铜层的上表面蚀刻有排线图形，填充铜层上覆盖有一层用于保护排线图形的阻焊层；所述缘陶瓷基板上设置有作为IPM封装结构本体引脚的焊接点；所述芯片模块包括驱动芯片、IGBT芯片及FWD芯片。
本发明授权一种无引线框架的嵌入式IPM封装结构在权利要求书中公布了：1.一种无引线框架的嵌入式IPM封装结构，包括IPM封装结构本体，其特征在于：所述IPM封装结构本体主要包括绝缘陶瓷基板及设置在该绝缘陶瓷基板上的芯片模块，且所述绝缘陶瓷基板的上表面与芯片模块之间包覆设置有一层层压箔，该层压箔对应于芯片模块控制端口、集电极和发射极的位置上分别开设有与对应芯片或绝缘陶瓷基板连通的通孔，层压箔的上表面设置有一层渗入在通孔内并与芯片模块电性连接的填充铜层，所述填充铜层的上表面蚀刻有排线图形，填充铜层上覆盖有一层用于保护排线图形的阻焊层；所述绝缘陶瓷基板上设置有作为IPM封装结构本体引脚的焊接点。
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