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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利包含去耦电容器的微电子装置，以及相关设备、电子系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113690240B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110439989.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权包含去耦电容器的微电子装置，以及相关设备、电子系统和方法是由王钊文设计研发完成，并于2021-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本包含去耦电容器的微电子装置，以及相关设备、电子系统和方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及包含去耦电容器的微电子装置，以及相关设备、电子系统和方法。一种微电子装置包括：管芯，其包括前侧和与所述前侧相对的背侧；集成电路系统的一或多个组件，其在所述管芯的基底材料内且在所述管芯的所述前侧与所述背侧之间；和一或多个去耦电容器，其在所述管芯的所述背侧内。所述一或多个去耦电容器包括第一电极、第二电极，和所述第一电极与所述第二电极之间的电介质材料。所述微电子装置进一步包括第一导电通孔，其包括延伸穿过所述基底材料的传导材料，所述第一导电通孔与所述一或多个去耦电容器的所述第一电极和所述微电子装置的所述前侧电连通。还描述了背侧中包含去耦电容器的相关设备，以及相关电子系统和方法。

本发明授权包含去耦电容器的微电子装置，以及相关设备、电子系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种微电子装置，其包括： 管芯，其包括前侧和与所述前侧相对的背侧； 集成电路系统的一或多个组件，其在所述管芯的所述前侧与所述背侧之间；以及 一或多个去耦电容器，其在位于所述管芯的所述背侧上的基底材料内，所述基底材料包括半导体材料，所述一或多个去耦电容器各自包括第一电极、第二电极和在所述第一电极与所述第二电极之间的电介质材料，所述电介质材料包括： 垂直延伸部分，每一垂直延伸部分在所述第一电极的侧壁和所述第二电极的附加侧壁之间；和 至少一个横向延伸部分，其在所述第一电极的横向表面和所述第二电极的横向表面之间，所述至少一个横向延伸部分连接所述垂直延伸部分； 第一导电通孔，其包括延伸穿过所述基底材料的传导材料，所述第一导电通孔与所述一或多个去耦电容器的所述第一电极和所述微电子装置的所述前侧电连通； 重分配线，其与所述一或多个去耦电容器的所述第二电极直接接触；以及 第二导电通孔，其与重分配线直接接触且经由所述重分配线与所述一或多个去耦电容器的所述第二电极电连通，所述第二导电通孔延伸穿过所述基底材料的整个垂直厚度，所述第二导电通孔与所述微电子装置的所述前侧电连通。

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