京瓷株式会社西村刚太获国家专利权
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龙图腾网获悉京瓷株式会社申请的专利半导体元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115443519B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180030661.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体元件的制造方法是由西村刚太设计研发完成，并于2021-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件的制造方法在说明书摘要公布了：在本发明的半导体元件的制造方法中，第一半导体部SL1具有朝向衬底基板UK突出的凸部TS，凸部包含氮化物半导体，凸部与衬底基板接合，半导体基板HK具有位于衬底基板与第一半导体部间的中空部TK，中空部与凸部的侧面相接，且与半导体基板的外部相通，在将第一半导体部从半导体基板分离之前，进行激光LZ向凸部TS的照射。
本发明授权半导体元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的制造方法，包括： 准备半导体基板的工序，所述半导体基板具有衬底基板、掩模及第一半导体部，所述掩模位于所述衬底基板上且包含多个掩模部以及开口部，所述第一半导体部包含位于所述开口部且与所述衬底基板连接的朝下的凸部、及位于各掩模部上的宽度比所述凸部宽且为低位错密度的低位错部； 对所述凸部照射激光而使所述凸部脆弱化的工序，所述凸部位于所述多个掩模部之间，包含氮化物半导体，且具有比所述低位错部小的宽度；以及 使脆弱化后的所述凸部断裂而将所述第一半导体部从所述衬底基板分离的工序。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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