爱思开海力士有限公司韩在贤获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体器件和半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068549B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110522291.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件和半导体器件的制造方法是由韩在贤设计研发完成，并于2021-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。一种半导体器件包括：在第一方向上延伸的第一位线；在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一字线；位于第一字线与第一位线的第一交叉部的第一晶体管，第一晶体管连接到第一字线和第一位线；与第一晶体管电连接的第一电容器，第一电容器位于第一交叉部的第一部分处；与第一晶体管电隔离的第二电容器，第二电容器位于第一交叉部的第二部分处；以及与第二电容器电连接的第二晶体管，第一电容器和第二电容器位于第一晶体管和第二晶体管之间。
本发明授权半导体器件和半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一位线，在第一方向上延伸； 第一字线，在与所述第一方向相交的第二方向上延伸； 位于所述第一字线与所述第一位线的第一交叉部处的第一晶体管，所述第一晶体管连接到所述第一字线和所述第一位线； 与所述第一晶体管电连接的第一电容器，所述第一电容器与所述第一交叉部的第一部分交叠； 与所述第一晶体管电隔离的第二电容器，所述第二电容器与所述第一交叉部的第二部分交叠；以及 与所述第二电容器电连接的第二晶体管，所述第一电容器和所述第二电容器位于所述第一晶体管和所述第二晶体管之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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